工业制硅能得到纯度更高的硅 ， 但这个高温、氯气和氢气咱普通人是搞不到的 。
但无论是 UP 主的土方法或者工业方法 ， 上面制成的多晶硅并不是制作硅晶圆的最终形态 ， 我们还要把它融化以后 ， 用 “ 乔赫拉尔斯基方法 ” 法 ， 把多晶硅变成单晶硅棒 。

乔赫拉尔斯基方法：专门用于获得单晶半导体（ 例如硅、钛和砷化铀 ）、金属（ 例如铂、铂、银、金 ）、盐和合成宝石的晶体生长方法 。
我们平时看到那一个个圆片的晶圆 ， 这名 UP 直接用水果刀 ， 在棒子上像 “ 片 ” 羊肉一样把晶圆切出来 。

这样成片的硅晶圆有了 ， 下一步才是展现实力的时候——刻：光刻和刻蚀 。
这位 UP ， 先是涂上一层 “ 光刻胶 ” ， 然后把自己的硅晶圆搬到一个小暗房 ， 用紫外线等把电路图印在晶圆上 ， 这样 UP 主就完成了土 “ 光刻 ” 这一步 。
那正儿八经的光刻是咋样的呢？
当我们有了刚从棒子上 “ 片 ” 好的晶圆 ， 得先做一次无尘化处理 ， 但凡一粒灰尘混进去 ， 都会对硅晶圆的导电性产生影响 ， 那这块晶圆基本就废了 。

做好无尘化清洁处理 ， 我们再涂上一层光刻胶 ， 开始印电路图 。
为啥用光刻胶呢 ， 因为它对紫外线极其敏感 。
我们拿出芯片设计阶段提前设计好的电路图掩膜 ， 用强紫外线光束透过掩膜把电路图印在光刻胶上 ， 第一轮光刻就算结束了

看上去也不是很难？
那你听完我给你讲的这几个细节 。
首先是芯片制造环境 ， 因为光刻胶对紫外线这种短波光极其敏感 ， 普通日光灯里的紫外线也会让光刻胶提前曝光 ， 所以晶圆制造的整个实验室内灯光全都是长波长的黄光 。

这也是我们平时网上看到的制芯实验室都是 “ 黄不拉几 ” 的原因 ， 有点像是很久以前胶片冲洗的暗房 。
说完环境 ， 我们再说光刻最重要的玩意——光 。
就一个紫外线光也分类很多 ， 比如 UV（ 紫外线：Ultraviolet ）光 。
目前业界使用最多的 DUV（ Deep Ultraviolet ）光 ， 它的波长是 193nm ， 除了光刻 ，DUV 还被用在矫正近视眼上面 。

而现在最牛掰的就数 EUV（Extreme Ultraviolet ） ， 它的波长只有 13.5 nm 。
【CPU|UP主捡块石头搓出个CPU？恕我直言，人类做不到】之所以我们能造出来越来越小制成的芯片 ， 从 14nm 到 7nm 再到 5nm 甚至 3nm ， 都源于不断精进的紫外线波长 。
巧妙的是 ，EUV 其实还是用的 DUV 的光源 ， 只要用 DUV 的光脉冲去连续两次打击液态金属锡 ， 就可以激发出波长更短的 EUV 。

并且上述这些操作 ， 可都是纳米级的哈 。
除此之外 ， 光刻机里那些反射 EUV 光线的镜子也大有学问 。

那个直径 30 厘米的镜子 ， 用 ASML 的话说：
“ 这可能是宇宙中最平滑的人造结构 ”。
它有多平呢？如果这块镜子有地球那么大 ， 那它不平的地方也就一根头发丝的厚度 。
光刻结束以后 ， 下一步就是刻蚀了 。
光刻只是把电路图印在上面 ， 而工业级的刻蚀等一系列步骤可以把这些电路图垒起来 ， 并让它导电 。
咱先说 UP 主这边 ， 光刻结束以后 ， 他直接掏出一瓶酸开始了他的土 “ 刻蚀 ” 步骤 。

但酸刻蚀会刻的相当不均匀 ， 还可能会损坏晶圆体 ， 而且要酸冲蚀好几遍才能弄干净 。
但正儿八经的刻蚀应该是啥样的？
这就得说到专业的刻蚀机了 。

工业级刻蚀机的用法 ， 是选择等离子体物理轰炸冲击的技术 ， 在硅晶圆上 “ 炸 ” 出电路图 。
不明白等离子体物理冲击技术也没事 ， 你可以理解成盖房子打地基的过程 。

跟光刻机一样 ， 我也给大家举几个刻蚀机的技术难点 。
比如等离子体在冲击轰炸晶圆的时候 ， 会有极少部分的合成物颗粒落在晶圆上 。
而这个仅有 20nm 的颗粒 ， 有可能破坏掉晶圆甚至让芯片直接报废 。
如果我们以加工 5nm 制程芯片为例 ， 一片 12 寸的晶圆上 ， 直径大于 20nm 的颗粒不能超过两个 。
这相当于在全国土地面积排名第四的青海省 72.23 万平方公里上 ， 只能允许 2 粒葡萄大小的颗粒 。

除了上述的颗粒控制以外 ， 一台合格的刻蚀机还需要解决均匀性控制、磁场控制等难题 。
刻蚀完以后 ， 就是一遍遍的复刻封装了 。
UP 主这边刻蚀完以后 ， 经过一系列抛光打磨 ， 直接就拿出来一个成品的硅晶圆 ， 然后再把它切割一下 ， 就直接 “ 装机 ” 使用了 。

手搓 CPU 也就宣告结束了 。

稿源：(未知)

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标题：CPU|UP主捡块石头搓出个CPU？恕我直言，人类做不到( 二 )