什么是QLC闪存、TLC闪存？有何区别？闪存是最常用器件之一

闪存是最常用器件之一，在诸如SSD等存储设备中均存在闪存。但是，大家对闪存真的足够了解吗?为增进大家对闪存的了解和认识，本文将对QLC闪存以及TLC闪存相关内容予以介绍。如果你对闪存具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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一、前言
我们渴求大容量的SSD ，不过超过TB大容量SSD动不动就几千元的售价，对于支付能力有限用户实际上没有意义。 SSD的成本主要来源于闪存，在TLC闪存能够实现TB容量可惜价格未能降下来。只有不断开发新类型的闪存，解决容量与价格的矛盾，才能让SSD真正在大数据时代发挥应有作用。
这时， QLC 闪存就应运而生，目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选?
二、QLC闪存颗粒
在聊QLC之前，我觉得先来聊一聊TLC会有助于大家理解它。
现在购买过SSD的朋友应该都听说过TLC闪存颗粒，因为2017年整体TLC SSD出货比重接近75% ，而SSD市场所占比重更大，也就是说现在大家买到的固态硬盘，基本上都是TLC的。
QLC则是有望未来接替他成为主流的产品!
闪存颗粒的类型有以下几种：SLC、MLC 、TLC 、QLC 。
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参照上图解释给大家会更清晰一些
SLC单比特单元(每个Cell单元只储存1个数据，有21=2个状态，就是0和1 ，也就是仅有两种不同的电压状态) ，因为稳定，所以性能最好，寿命也最长(理论可擦写10W次) ，成本也最高，最早的顶级颗粒，但因为成本问题，目前已经消失在大家的视野里。
MLC双比特单元(每个Cell单元储存2个数据，有22=4个状态， 00/01/10/11 ，因此有四种不同电压状态) ，也就是仅有两种不同的电压状态)性能、寿命(理论可擦写1W次)、成本在几种颗粒中算是均衡的，接替SLC的产品，在TLC之前的绝对主流颗粒，而目前主要用于高端和企业级产品。
TLC三比特单元(每个Cell单元储存3个数据，有23=8个状态，不详列，如上图，有八种不同电压状态) ，成本低，容量大，但寿命越来越短(理论可擦写1500次) ，但随着技术的成熟，目前寿命问题已经得到解决，并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。
QLC四比特单元(每个Cell单元储存4个数据，有24=16个状态，不详列，如上图，有十六种不同电压状态) ，成本更低，容量更大，但寿命更短(理论可擦写150次) ，想成为接替TLC的产品还有急需解决的问题。
注：每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性越差，寿命低。利弊都有。
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不得不承认， TLC闪存的出现大大提升了SSD的容量，并在一定程度上降低了SSD的价格。不过，依旧没解决SSD价格的难题，大容量SSD仍旧贵。小容量SSD+大容量HDD的存储方案，终究没有单纯大容量SSD来得好。
当QLC 闪存的诞生，也许既廉价又拥有超大容量的SSD ，从理想变为现实。
三、QLC与TLC区别
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1、寿命
前段时间，东芝称其QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，打破100-150次魔咒，可以与TLC闪存颗粒寿命相媲美。如果真的达到这个标准，那么QLC SSD就能够“理直气壮”进入市场了。
1000次寿命，对于普通人来说，也没有那么可怕。一般人平均每天的写入量很少能超过10GB ，那么我们就假设是10GB ， 120GB QLC SSD ，写入寿命达到120 TB 。假设写入放大系数则假定为3 ，甚至5 ，那么三年之内，很难写坏它。且QLC闪存拥有高容量，也意味着其在QLC驱动器中可通过超额配置以延长产品本身的有效寿命。
目前TLC SSD在质保期普遍达到3年，有的质保期甚至达到5年。那么QLC 寿命问题又有什么好担心?
2、稳定性
QLC闪存是存储4位电荷，有16种状态，而TLC存储3位电荷，有8种状态。这意味着QLC闪存单位存储密度更大，是TLC的2倍，单颗芯片可达到256GB甚至512GB 。但是，也因如此， QLC闪存的电压更难控制，干扰更复杂，而这些问题都会影响QLC闪存的性能、可靠性及稳定性。不过TLC的这个活生生的案例在前面，解决起来会更容易一些。