【3c认证|英特尔这个「老实人」也开始学坏了？】华为|5G_傻大方

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3c认证|英特尔这个「老实人」也开始学坏了？

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在其它品牌 X86 平台和 ARM 平台的围剿下， Intel 英特尔似乎有点慌了，第 11 代发布不到一年的时间，就正式推出了第 12 代（桌面级）Core 处理器。

第 12代Core 桌面级处理器，特别是旗舰的 i9 引入了性能核以及能效核的混合架构，拥有更大的 L2、L3 级缓存，支持更高速的 DDR5、拥有更高的超频能力，桌面级 Core 也正式来到了 10nm 制程工艺时代 —— 被网友戏称一下挤了两支牙膏。

值得注意的是， Intel 这次不再直接宣传 10nm 制程，而是以「Intel 7」这名称作制程工艺宣传，就连 Intel 官网的新闻稿对「10nm」只字不提。

其实从这一代芯片开始， Intel 正式开始更改自家制程工艺的「命名方式」，这一代的 10nm （Enhanced SuperFin）制程工艺更名为「Intel 7」。不仅如此，还给后面的 7nm 工艺制程提前预定了「Intel 4」的名字，预计会在 2022 年到来；接着是 2023 年的 7nm 工艺制程升级版，命名为「Intel 3」，这将会成为 Intel 最后一代 FinFet 工艺，而后将进入双位数 + A 命名时代，进入 ? 埃米时代（1? = 10nm），「Intel 20A」预计将会在 2024 年面世。

问题来了：
Q1：为什么 Intel 要这样改名呢？
Q2：为什么三星、台积电都来到 5nm 时代了， Intel 还停留在 10nm 时代呢？
Q3：为什么又会有人说 Intel 的 10nm 制程工艺要远超于三星、台积电的 7nm 工艺呢？
「制程」并非一切
首先，我们需要先了解这里的「nm」、「制程工艺」指的是什么 —— 我们都知道 nm ，即「纳米」，是个长度单位；所谓的「制程工艺」主要反映的是「最小线宽」，而「线宽」也就是「芯片上形成互补氧化物金属半导体磁场感应晶体栅格管的宽度」，也就是「栅长」 —— 有点拗口，但你只要知道，理论上越窄的「线宽」，一定空间下就能塞得进更多的晶体管，芯片的理论性能就越高。

而事实上理论只是理论，直接用「线宽」、「栅长」来衡量芯片的先进程度还不算全面，「晶体管密度」其实更为重要。

然而各家（名称上）相同制程的工艺，晶体管密度差距可能非常大 —— 根据 Wikichip 的数据，以 10nm 制程为例， Intel 的晶体管密度能达到 100.76 MTr/mm2 ，而台积电以及三星的 10nm 制程工艺分别只有 52.51 MTr/mm2 和 51.82 MTr/mm2；即使是台积电和三星的 7nm 制程工艺也只有 91.2 MTr/mm2 和 95.08 MTr/mm2 ，还是低于 Intel 的 10nm 制程 —— 这也解释了为什么「Intel 的 10nm 制程工艺要远超于三星、台积电的 7nm 工艺」。

为什么差别那么大？这里面有故事可讲。
制程「大跃进」时代里的「老实人」
大概在 2015 年，三星将 20nm 制程工艺进行了改进，并以「12nm」的名号将其推向市场，完成了三星在工艺制程命名上的第一次「跃进」，随后台积电、格芯等半导体厂商纷纷效仿，「加快」了晶圆制程的「发展」，唯有 Intel 仍老老实实地一步一个脚印推进自家半导体制程的命名（研发） —— 台积电、三星等厂商做法则延续至今，因此造成了 Intel 与其它厂商制程工艺名称不同步的「囧」况，也解释了 Intel 的制程工艺为什么总慢别人一整个拍子。

晶圆厂商的一次「大跃进」，很难不让人想到经济学上的一句话：「劣币驱逐良币」。
或许也正因行业的「乱象」，让 Intel 觉得吃了好久营销上的亏，才祭出这一次的新的工艺命名方式，但又因「洁身自好」，只用「Intel _ 」的命名方式来跟其它厂商同步，同时不用 nm 单位来干扰用户。

【3c认证|英特尔这个「老实人」也开始学坏了？】所以，你可以说 Intel 自律、要求严苛，也可以说它是个「老实人」；只是这一次这个老实人选择了「跟上」友商的脚步……