这类高端产品的市场，目前主要由美商Broadcom、Qorvo、RF360等厂商占据。下图是Qorvo公司在其官方公众号上提供的芯片开盖分析。可以看到，该类产品包含10颗以上的BAW，2~3颗的GaAs HBT，以及3~5颗SOI和1颗CMOS控制器，具有射频产品最高的技术复杂度。该类产品通常需要集成四工器或者五/六工器这类超高VD值的器件。


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M/H LPAMiD开盖图
来源：Qorvo公众号

射频接收模组的五重山



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接收模组的五重山模型，如上图所述。

接收1：使用RF-SOI工艺在单颗die上实现了射频Switch和LNA。虽然仅仅是单颗die，但从功能上也属于复合功能的射频模组芯片。这类产品主要的技术是RF-SOI，在4G和5G都有一些应用。

接收2：使用RF-SOI工艺实现LNA和Switch的功能，然后与一颗LC型（IPD或者LTCC）的滤波器芯片实现封装集成。LC型滤波器适合3~6GHz大带宽、低抑制的要求，适用于5G NR部分的n77/n79频段。这类产品也是SOI技术主导，主要应用在5G。

接收3：从接收3往上走，接收模组开始需要集成若干SAW滤波器，集成度越来越高。通常需要集成单刀多掷（SPnT）或者双刀多掷（DPnT）的SOI开关，以及若干通路支持载波聚合（CA）的SAW滤波器。封装方式上，由于“接收3”的集成程度还不极限，因此有多种可能的路径。其中国际厂商的产品主要以WLP技术为主，除了在可靠度及产品厚度方面有优势，主要还是可以在更高集成度的其他产品中进行复用。

接收4：这类产品叫做MIMO M/H LFEM。主要是针对M/H Band的频段（例如B1/3/39/40/41/7）应用了MIMO技术，增加通信速率，在一些中高端手机是属于入网强制要求。看起来通信业对M/H这个黄金频段果然是真爱啊。技术角度出发，这类产品以RF-SOI技术实现的LNA加Switch为基础，再集成4~6个通路的M/H高性能SAW滤波器。国际厂商在这些频段已经开始普遍使用TC-SAW的技术，以达到最好的整体性能。

接收5：接收芯片的最高复杂度，就是H/M/L的LFEM。这类产品以非常小的尺寸，实现了10~15路频段的滤波（SAW Filter）、通路切换（RF-Switch）以及信号增强（LNA），具有超高的Value Density值（10左右），在5G项目上能帮助客户极大地压缩Rx部分占用的PCB面积，把宝贵的面积用在发射/天线等部分，提升整体性能。这类产品需要的综合技能最高，也基本必须要用WLP形式的先进封装方式才能满足尺寸、可靠度、良率的要求。

总结


1.射频模组的核心要求是多种元器件的小型化及模组集成。
2.无论是发射模组还是接收模组，纯5G的模组是困难但不复杂，最有挑战也最具价值的是4G/5G同时支持的高复杂度模组。

本土替代是黄金机遇，不需要赛道创新，核心是技术创新实现4G/5G射频芯片的产品化、小型化、模组化。开元通信专注于射频模组芯片的开发，在厦门、上海和台北建立了研发中心，“all-in模组”，以射频模组为目标配置关键资源，坚定地推进最高性价比和最实惠价格的模组芯片，以加速国产模组产品的量产，助力中国通信产业的健康发展。


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射频模组的产业化率先发端在西方企业，比中国早5到10年；如本文篇头的图片，国外射频模组大量在中国市场销售，中国还停留在分立器件产业的阶段。中国产业当然应该奋起直追，而奋起直追的第一步，就是先要深入分析5G模组的相关知识，结合自身竞争优势，寻找合适的切入点，最终全身心地拥抱模组化的产业潮流。只要全身心地拥抱潮流，我们有充分信心，用五年十年左右的时间，完成本土射频模组的飞跃。


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位于圣彼得堡的彼得大帝雕像

举一个类似的成功例子。近代的工业革命率先发端在西欧，西欧已经开始工业化，而俄国还是落后的封建农业国家。1703年，罗曼诺夫王朝沙皇彼得一声令下，要在波罗的海的港口建造新的首都，尽管众人反对，哪怕万千争议，这位俄国历史上数一数二的君王，这位乔装成工匠在西欧游历学习的君王，力排万难要建造一个通往欧洲通往世界的俄国新首都（圣彼得堡），全面地拥抱欧洲、拥抱海洋、拥抱工业革命。欧洲、海洋、工业革命，就是18世纪国家的潮流；国产替代、5G、射频模组，就是今天射频前端行业的潮流。

稿源：(墨知)

【傻大方】网址：http://www.shadafang.com/c/111J2PJ2020.html

标题：市场|电巢学堂：射频前端模组，看这一篇就够了( 四 )