半导体|研究机构：氮化镓、碳化硅功率半导体市场明年将突破 10 亿美元功率|研究机构|氮化镓|突破|半

IT之家11月15日消息根据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》，在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的新兴市场预计在 2021 年突破 10 亿美元。
报告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半导体的销售收入，预计从 2018 年的 5.71 亿美元增至 2020 年底的 8.54 亿美元。预计未来十年，每年的市场收入以两位数增长，到 2029 年将超过 50 亿美元。
GaN 和 SiC 功率半导体全球市场收入预测（单位：百万美元）

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SiC 肖特基二极管已经上市十多年了，近年来出现了 SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）和结型场效应晶体管（SiC JFETs）。SiC 功率模块也越来越多，包括混合 SiC 模块（这种模块包含带 Si 绝缘栅双极晶体管（IGBTs）的 SiC 二极管），以及包含 SiC MOSFETs 的完整 SiC 模块（不论这种模块是否带有 SiC 二极管）。
SiC MOSFETs 在制造商中很受欢迎，已经有几家公司提供了这种产品。有几个因素导致 2019 年的平均价格下降，比如 650 伏、700 伏和 900 伏 SiC MOSFETs 上市，其定价与硅超结 MOSFETs 竞争，又比如供应商之间的竞争加剧。
SiC 和 GaN 功率半导体市场趋势
到 2020 年底，SiC MOSFETs 预计将产生约 3.2 亿美元的收入，与肖特基二极管的收入相当。从 2021 年起，SiC MOSFETs 将以略快的速度增长，成为最畅销的分立 SiC 功率器件。同时，尽管 SiC JFETs 的可靠性、价格和性能都很好，但据预测，SiC JFETs 的收入要比 SiC MOSFETs 少得多。
结合 Si IGBT 和 SIC 二极管的混合型 SiC 功率模块在 2019 年的销售额估计约为 7200 万美元，全 SiC 功率模块在 2019 年的销售额估计约为 5000 万美元。Omdia 预计到 2029 年，全 SiC 功率模块将实现超过 8.5 亿美元的收入，因为它们将被优先用于混合动力和电动汽车动力系统逆变器。相比之下，混合型 SiC 功率模块将主要用于光伏（PV）逆变器、不间断电源系统和其他工业应用，带来的增长速度要慢得多。
2019 年以来发生了什么变化？
现在，SiC 和 GaN 功率器件都有数万亿小时的器件现场经验。供应商，甚至是新进入市场的企业，都在通过获得 JEDEC 和 AEC-Q101 认证来证明这一点。SiC 和 GaN 器件似乎不存在任何意外的可靠性问题；事实上，它们通常比硅器件更好。
SiC MOSFET 和 SiC JFET 的工作电压较低，如 650V、800V 和 900V，使 SiC 在性能和价格上都能与 Si 超结 MOSFET 竞争。
【 半导体|研究机构：氮化镓、碳化硅功率半导体市场明年将突破 10 亿美元】IT之家获悉，报告提及，内含 GaN 晶体管和 GaN 系统集成电路的终端产品已投入批量生产，特别是用于手机和笔记本电脑快速充电的 USB C 型电源适配器和充电器。此外，许多 GaN 器件正由晶圆代工服务提供商制造，在标准硅片上提供内部 GaN 外延晶体生长，随着产量的增加，产能可能无限扩大。