行业|抢占新一代半导体制高点业界建言“十四五”需提高产业化能力( 二 ) 业界|制高点|功率|能力|新一代

这些领域也正是我国接下来要重点发展的产业。最新发布的“十四五”规划建议提出，国家将大力支持发展第三代半导体产业，在教育、科研、开发、融资和应用等方面支持和扶持该产业。
在人才储备方面，近几年，我国侧面受益于中美摩擦导致的人才回流，为了支持科研人才搞研发，对于功率半导体器件应用十分广泛的电网领域已在变革。据国家电网全球能源互联网研究院董事长滕乐天介绍，国家电网将于明年开始在全球能源互联网研究院、功率半导体研究所实行预算成本制，费用包干，给予功率半导体研发团队长期稳定的研发费用支持。
在技术方面，据业内人士介绍，目前国内功率半导体产业链配套齐全，制造和封测环节处于国际先进行列，材料和设备刚需国产化难度低。新材料刚刚开始大规模产业化，国内外技术差距不大，容易赶超。
从0到1的突破
新基建浪潮下，国产芯片将迎来巨大发展机遇。无论是5G、物联网，还是数据中心、人工智能等，都潜藏着海量的芯片需求。受到国际贸易形势等因素影响，我国相关产业面临着高端芯片等核心技术受制于人的局面，迫切需要新一代半导体技术的发展与支撑。
11月6日，2020年中国宽禁带功率半导体技术论坛暨产业发展峰会在浙江嘉兴举行。峰会现场发布了《宽禁带功率半导体“十四五”建议书》，这是我国半导体行业首次站位宽禁带半导体产业发展视角，为国家战略新兴产业顶层设计及行业内企业发展的战略选择提供了重要依据。
作为参与国家“十四五”规划建议提报的中宽联，在此次大会上正式公开了《宽禁带功率半导体“十四五”建议书》（以下简称《建议书》），首次从新一代半导体产业发展现状、技术趋势、市场预测等多个方面建言献策。
据了解，以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料。与传统材料相比，第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，因此在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。
“目前，宽禁带功率半导体是我国与发达国家差距相对较小的领域，最有机会实现功率半导体技术弯道超车，特别是实现高压大功率器件的弯道超车，使我们摆脱功率半导体中的被动局限，也能做到0到1的突破与首创”，滕乐天表示。
对于宽禁带功率半导体产业发展，中国科学院院士郝跃指出，目前该领域已基本到产业化阶段，需要工业部门、产业部门进一步推动如何把成品率提高、成本率降低、可靠率提升。
以碳化硅为例，碳化硅材料在许多领域优于市场上最常见的硅材料。此前受制于材料成本，碳化硅模块主要应用于航空和高端特种应用部分场景，目前正逐步向新能源汽车和工业领域广泛应用。根据碳化硅行业龙头Cree公司预测，到2022年碳化硅在电动车用市场空间将快速成长到24亿美元，是2017年车用碳化硅整体收入700万美元的342倍。
《建议书》从市场和产业化两个层面提出建议，首先是从提升宽禁带功率半导体的产业化能力、布局未来宽禁带功率半导体的产业方向，解决制约我国宽禁带功率半导体产业发展“卡脖子”问题。
具体来看，《建议书》提出要建立健全支撑碳化硅、氮化镓材料、器件、模块和应用全产业链的配套产业体系，重点建设配套辅助材料、芯片制造设备、芯片封装和监测设备等的自主保障能力；夯实宽禁带功率半导体材料和器件产业化基础，在5G等领域实现重点突破等具体产业发展问题。
【 行业|抢占新一代半导体制高点业界建言“十四五”需提高产业化能力】“越来越多的学者、企业、金融机构进入这个领域，标志着宽禁带功率半导体受到各界关注，将走向快速发展的阶段。”中宽联理事长宗艳民表示，在新基建战略的加持下，宽禁带功率半导体发展将迎来巨大机遇。

行业|抢占新一代半导体制高点 业界建言“十四五”需提高产业化能力( 二 )

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