TLC|美光开始交付176层TLC NAND闪存 读写延迟降低35%

据外媒消息,美光日前宣布将向客户交付176层TLC NAND闪存,为消费者提供更快、更便宜的SSD驱动器。
该公司表示,其第五代3D NAND存储器的密度应比使用128层NAND的最接近竞争对手高40%。美光表示,与96层NAND相比,176层TLC NAND闪存的读写延迟降低了35%,与128层NAND相比,降低了25%。
TLC|美光开始交付176层TLC NAND闪存 读写延迟降低35%
文章插图
美光推出176层TLC NAND闪存
美光并不是唯一拥有176层NAND存储器的制造商,但它是第一个开始批量发货的公司。美光NAND是TLC或每单元三位,据说传输速度提高了33%,读写延迟提高了35%,TLC NAND而非QLC意味着新存储器也会提供更好的驱动器耐久性。
TLC|美光开始交付176层TLC NAND闪存 读写延迟降低35%】美光表示,新的176层NAND的厚度仅为一张打印纸的五分之一,尽管其层数是原来64层NAND的两倍,但厚度仍可以达到其以前64层NAND的厚度。最后,至少最终会导致更大的SSD和价格可能更便宜的SSD。