热度|2020年中国第三代半导体产业市场分析：产能、市场规模高速增长投资热度居高不下产业|市场规模|热度|第三代|

1、发展历程分析：2016年为第三代半导体产业元年
第三代半导体指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料。半导体材料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体材料;
第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;而以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、等宽带半导体原料为主的第三代半导体材料，可以被广泛应用于消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等各个领域，且具备众多的优良性能，可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。
我国第三代半导体产业发展缘自2013年科技部863计划，计划将之列为战略发展产业。2016年国务院国家新产业发展领导小组将其列为重点发展方向，除此之外，福建等27个地区陆续推出近30条第三代半导体产业相关政策，2016年为第三代半导体产业元年。
2019年，国家级战略《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》明确要求长江三角洲区域加快培育布局第三代半导体产业。2020年，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。

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对于第三代半导体的发展，国内高度重视。2019年12月，国家级战略《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》明确要求加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展。
2020年7月，《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》指出国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。2020年，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划。

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2、产业链分析：各环节均有较多企业参与
第三代半导体材料主要以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为主。碳化硅(SiC)生产过程分为SiC单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组三大环节。

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GaN产业链按环节分为Si衬底(或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石)、GaN材料外延、器件设计、器件制造、封测以及应用。各个环节国内均有企业涉足，如在射频领域，SiC衬底生产商有天科合达、山东天岳等，GaN衬底有维微科技、科恒晶体、镓铝光电等公司。
外延片涉足企业有晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等公司则同时涉足多环节，力图形成全产业链公司。

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3、市场规模：产能、规模高速增长
第三代半导体材料是5G时代的主要材料，与传统的第一代、第二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等独特性能，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件等方面展现出巨大的潜力。

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在国家政策的大力支持下，国内第三代半导体产线陆续开通，产能不断增加。据CASAResearch不完全统计，2019年，国内主要企业Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸产能约为20万片/年，Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸产能约为19万片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸产能约为10万片/年，SiC基GaN器件折算4英寸产能约为8万片/年。
SiC方面，国内主要企业导电型SiC衬底折合4英寸产能约为50万片/年，半绝缘SiC衬底折合4英寸产能约为寸产能约为20万片/年;SiC外延片折算6英寸产能约为20万片/年。

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2016-2019年我国SiC、GaN电力电子产业值持续提高。据CASA初步统计，2019年，我国SiC、GaN电力子和微波射频产值(供给)超过60亿元。2019年我国SiC、GaN电力子产值规模达26亿元，同比增长84%。

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GaN微波射频产值方面，2016年9月科技部立项国家重点研发计划，旨在针对5G通信需求，建立开放的工艺代工线，实现GaN器件与电路在通信系统的应用，推动我国第三代半导体在射频功率领域的可持续发展。我国GaN微波射频产值不断增长，据CASA，2019年我国GaN微波射频产值规模近38亿元，同比增长74%。

热度|2020年中国第三代半导体产业市场分析：产能、市场规模高速增长 投资热度居高不下

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