正式|美光正式推出第五代 3D NAND 堆叠层数达到176 层
现在市面是的SSD都采用了3D NAND存储技术，与2D NAND 相比，3D NAND 能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本，这也是为什么众多厂商都在积极研发和推出更高层数的3D NAND产品。而全球闪存大厂美光近期宣告了自己最新的第五代 3D NAND闪存技术，堆叠层数达到176 层。
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美光176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s，高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。与 96L NAND ，相比之下，读写延迟降低了35% 以上，与 128L NAND 相比，降低了25% 以上。与使用 96L NAND的UFS 3.1模块相比，美光芯片的总体混合工作负载降低了约15%。
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美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。
【 正式|美光正式推出第五代 3D NAND 堆叠层数达到176 层】而其他厂商，三星正在开发176层第七代V-NAND，计划明年4月实现量产，SK 海力士也正在进行176层3D NAND的研发。至于英特尔，之前是计划在今年年底实现更高层数144层产品的量产，但不知道英特尔出售闪存业务是否会影响到技术量产。
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