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【极紫外光刻|不用EUV光刻机也能造5nm芯片？铠侠携手NDP与佳能力推NIL技术】

10月22日消息，在半导体制程技术进入5nm节点之后， EUV光刻机已经成为了不可或缺的关键设备。但是，因为EUV光刻机造价高昂，每台价格超过1亿美元，而且EUV光刻机仅荷兰ASML一家产生能够供应，且产能有限，这使得芯片的生产成本大幅升高。为解决这样的问题，日本存储大厂铠侠（Kioxia）现在联合了合作伙伴开发了一种新的NIL制程技术，可以不使用EUV光刻机，就能使制程技术推进到5nm 。
根据日本媒体的报导，铠侠从2017 年开始与半导体设备厂佳能，以及光罩等半导体零组件制造商大日本印刷株式会社（DNP）合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影(NIL) 的量产技术。当前铠侠已掌握15nm的制程量产技术，目前正在进行15nm以下技术的研发，预计2025 年将进一步达成。
相较于目前已商用化的EUV光刻技术，铠侠表示， NIL 技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。原因在于NIL 技术的微影制程较为单纯，耗电量可压低至EUV 技术的10% ，并让设备投资降低至仅有EUV 设备的40% 。目前， EUV光刻机只有荷兰ASML一家能够生产供应，其不但价格高，而且需要许多检测设备的配合。
不过，虽然NIL 技术有许多的优点，但现阶段在导入量产上仍有不少问题有待解决，其中包括更容易因空气中的细微尘埃的影响而形成瑕疵。
报导指出，对铠侠来说， NAND 零组件因为采取3D 立体堆叠结构，更容易适应NIL技术制程。而铠侠也表示，当前已解决NIL 的基本技术问题，正在进行量产技术的推进工作，希望能较其他竞争对手率先引入到NAND 生产当中。而一旦铠侠能成功率先引入NIL 技术并实现量产，有望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，又能符合减少碳排放的需求。
根据DNP 的说法， NIL 量产技术电路微缩程度可达5nm节点，而DNP 从2021 年春天开始，就已经在根据设备的规格值进行内部的模拟仿真当中。而对于这样的技术进步， DNP 也透露，从半导体制造商对NIL 量产技术询问度的增加，显示不少厂商对NIL 技术寄予厚望。
另一个合作伙伴佳能，也致力于将NIL 量产技术广泛的应用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上，以在未来供应多的半导体制造商，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程上。
编辑：芯智讯-林子