华为|华为高端芯有戏了，国芯7nm再获重大突破，EUV光刻胶全来了芯片|光刻胶|asml|it芯片

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一、导读如今我们可以看到，国产手机品牌小米OV纷纷实现了大幅突破，再次拉近了和苹果三星的距离，小米甚至在第二季度超越苹果，首次斩获全球第二，而vivo的表现也不差，在今年第二季度的国内市场升至第二，与小米OV蒸蒸日上的手机业务相比，华为的表现让人惋惜，在西方新规的五次打压之下，华为海思无人代工，也不能通过第三方渠道购买联发科、高通的芯片，因此缺芯越来越严重，华为手机业务的份额仅剩下4% ，还不及小米OV的零头。
二、国芯7nm再获重大突破， EUV光刻胶全来了前不久，华为正式发布了P50系列，不过余承东却非常遗憾地宣布了一个新决定，那就是华为P50系列将没有5G版本，要知道华为5G技术全球领先，如今却因为西方打压，不得不放弃5G方案，因此大力发展国产芯片产业，从芯片原材料、芯片设计、芯片制造，再到芯片封测等全部环节，均突破到7nm以下的高端水准，才能彻底避开西方新规的限制，从而解决华为缺芯的困局。目前来看，国芯的进步非常明显，比如在芯片制造领域，中芯通过N+2工艺，实现了7nm水准，在芯片封测领域，基本上实现了自给自足。
不过在芯片制造设备领域，光刻设备依然停留在90nm ，即便将在不久之后突破到28nm ，但与西方ASML的差距依然很大，尤其是EUV光刻设备领域，国芯还处于攻坚阶段，近日，国芯7nm再获重大突破， EUV光刻胶都来了。南大光电发布公告，旗下的ArF光刻胶项目正式通过专家的验收，该光刻胶可以用于90-7nm的芯片制造工艺，这也意味着国芯在7nm高端芯片原材料领域，终于实现了自给自足，不再受到日本Arf光刻胶断货的限制；
另外在EUV光刻设备领域，国产双工件台以及EUV光源均已经成功掌握，不过还差最后一块拼图，那就是EUV光学镜头，前段时间， EUV光学镜头就传来好消息，国内首台高能光源设备成功步入安装阶段，而且国产直线式劳埃透镜镀膜装置、纳米聚焦镜镀膜装置均已经投入使用，因此随着这三台设备投入使用，国产EUV光刻镜头的镜面光洁度将突破到100皮米，与ASML只有一步之遥，因此未来突破到50皮米只是时间问题。
三、华为高端芯有戏了，已与国产半导体形成命运共同体只要EUV光学镜头突破到50皮米，那么国产EUV光刻设备将成功实现，加上南大光电Arf光刻胶已经突破到7nm高端水准，国芯将成功实现7nm及以下的高端芯片水准，从而彻底打破西方ASML在EUV光刻设备领域的垄断，西方新规也将成为一张废纸，对于华为来说，高端芯片也将有戏了，因为华为已经通过旗下的哈勃子公司，成功布局了自己的芯片全产业链。
哈勃从2019年成立以来，截止到目前，已经投资入股了43家国产半导体企业，也就是说华为通过投资入股的方式将自己和国芯产业绑在了一起，从而形成了国芯命运共同体，而且华为已经出手，在武汉组建了芯片制造工厂，前期主要制造光芯片，但是只要国芯成功突破到7nm水准，那么华为将迅速建立起高端芯生产线，因此具有真正国产化的高端芯片也将很快实现量产。

四、国芯将突破到高端水准，李东生、ASML没有说谎当然对于这款国产高端芯片，到底还需要多长时间呢？国产品牌TCL的创始人李东生就给出了自己的预测，他认为国产芯片突破到7nm及以下的高端水准，只需要三到五年而已，目前看来，李东生的预测还是非常准确， EUV光刻设备就差最后一块拼图EUV光学镜头了，三年时间完全可以攻克，其他准备工作只要跟上来，那么国芯突破到7nm五年时间完全够用了。另外ASML的CEO也给出了自己的预测，如果西方禁止出货，那么三年内我们就可以实现国产替代，目前从国芯的进度来看，李东生、ASML都没有说谎，因为国芯高端化真的快了。
五、结语目前华为P50已经可以用上高通4G芯，这也意味着华为缺芯的问题得到了暂时缓解，即便没有5G功能，但也足够满足我们的使用了，况且还可以通过华为WIFI6技术，大部分场景的网速体验不比5G差，因此只要华为挺过这几年，未来国芯将给华为带来足够的支持，彻底打破西方新规限制，我们也相信将很快到来。