小米科技|UV Micro-LED 用于传感、生产和通信的小米13|高通骁龙

Ferdinand-Braun-Institut 的 UV microLLED 可以密集封装以形成高分辨率阵列
柏林 Ferdinand-Braun-Institut (FBH) 研究人员已成功生产出第一批可在紫外光谱范围 (UVB) 内发射的微型 LED 原型。具有 310 纳米 (nm) 发射波长的卫星 LED 具有小尺寸的发射区域，直径低至 1.5 微米 (μm) 。这比传统的 UV LED 小数百到数千倍。微型 LED 可以紧密排列，间距小至 2 μm ，从而在芯片上形成二维阵列，从而产生高分辨率的 UVB 发射区域。
【小米科技|UV Micro-LED 用于传感、生产和通信的】UV micro-LED 可用作单发射器或排列成高密度阵列，可用于广泛的应用。这包括传感技术、聚合物和树脂的固化、半导体芯片的生产和光通信技术。在 FBH 目前的芯片上，一个阵列的所有 UV micro-LED 都是同时工作的。在下一步中， LED 像素将通过控制芯片单独寻址。
例如，这将允许生成和快速调制单个照明模式，从而实现无掩模光刻。因此，可以轻松、快速且经济高效地在半导体晶片上创建单独的结构。高分辨率紫外辐照模式的能力也在快速原型制作和荧光分析领域开辟了新的应用。
与此同时， FBH 科学家已经将这项技术转移到 UVC LED ，包括发射波长极短的 230 nm 左右的远 UVC LED 。现在， FBH正在寻找有意在其应用中使用UV micro-LED的合作伙伴，旨在共同推进该技术并充分发挥设备的潜力。
通过金属有机气相外延沉积在紫外光谱范围内发射的半导体层结构，然后使用光刻工艺、等离子体蚀刻和沉积方法进行图案化。
制造直径在 1.5 到 50 μm 之间、间距在 2 到 60 μm 之间的 UV micro-LED 需要高对准精度、制造精度和材料完美性。这只能通过使用专门为此应用而设计的最先进的光刻工艺来满足。需要在 2 英寸 LED 晶圆上已优于 20 nm 精度将不同的工艺层彼此精确对齐（覆盖控制）。
由于制造的 UV micro-LED 的尺寸很小——例如蚀刻结构的直径、形状和倾斜角——它们的特性通过电子显微镜来控制。
永霖光电-UVSIS-独家发布