据韩国媒体报道 ， 三星电子今日正式投产GAA架构的3nm工艺芯片制造 ， 为赶超台积电奠定基础 。 报道称 ， GAA架构优于当前广泛使用的FinFET架构 。
台积电此前宣布在今年下半年量产3nm工艺 。 这意味着 ， 三星首次在先进工艺层面反超台积电 。 此外 ， 英特尔预计在明年下半年量产3nm工艺芯片 。

这一工厂投产也打破了业界的大量猜疑 。 此前台湾业界就认为 ， 三星可能因为3nm良率过低 ， 而不得不延后量产 。
客观来说 ， 这一猜疑具有历史基础 。 三星一直努力追赶台积电的先进工艺 ， 但步伐太大 ， 良率时不时成为隐患 。 在晶圆代工市场 ， 三星也大幅落后于台积电的份额 。
对于三星的突破性进展 ， 台积电表示不予评论 。 据称 ， 台积电基于FinFET架构的3nm工艺将进入量产阶段 ， 并搭配FINLEX架构 。 此外 ， 2nm工艺预计在2025年量产 。
数据显示 ， 三星芯片制造60%产能供给集团旗下公司 。 预计本次3nm产能也不例外 ， 将优先三星集团使用 。
【Fedora|3nm工艺投产！三星反超台积电】C114通信网 南山

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