芯片|i9-13900ES跑分泄露，多线程比12900K高出20%，单线程 AMD|酷睿处理器|酷睿i9|it芯片

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测试的英特尔酷睿i9 13900是一个工程样本，就像之前看到的一样。具有8+16核心配置。包括8个基于Raptor Cove的P核和16个基于Gracemont核心架构的E核

i9 13900为P核(每个核2MB)提供16MB的二级缓存，为E核也提供16MB的2级缓存(每个4核集群4MB) 。提供总共32MB的2级缓存，再加上3级缓存为提供总共68MB的缓存，被标记为游戏缓存

在频率方面，英特尔酷睿i9 13900的频率为3.8GHz 。此工程示例的P核以1.4GHz默频和3.8GHz(P核)的最大睿频运行，而E核分为2个有着2.8GHz的集群，另外2个集群以1.0GHz运行，因此频率存在一些不一致。由于是非K 65W产品，因此它的频率要低得多，而且它也是一个ES芯片(工程样品) ，因此频率会更低。芯片达不到6GHz的频率

英特尔酷睿i9 13900和酷睿i9 12900K均在Z690平台上使用一对芝奇DDR5-5200内存和RTX 3090显卡进行了测试。 Raptor Lake芯片未发布，因此还没有合适的BIOS可用。频率不像其他芯片那样稳定。为了进行测试， i9-12900K的所有核心锁定在3.8GHz以进行公平比较

【芯片|i9-13900ES跑分泄露，多线程比12900K高出20%，单线程】此外， AMD锐龙5800X3D拆开盖子后散热更好

一张拆掉的盖子的AMD锐龙5800X3D 。这是看到它的引擎盖下的小芯片。 5800X3D有一个CCD和一个IOD ，周围有大量电容器。与所有锐龙5000系CPU一样， 5800X3D采用焊接设计，采用液态金属TIM(热界面材料)和镀金焊料，用于更有效地在IHS(集成散热器)和小芯片之间传递热量

不需要与IHS接触的CPU部分是硅保护，包括第二个CCD的焊点，虽然它实际上不存但已用硅密封。现在对于剥离过程，无论CPU如何，它总是一个艰难的过程，且在中介层外围添加了各种电容器，这对用户来说更加困难。但是在图片中，没有一个电容器被损坏，所以是完美的工作

AMD锐龙5800X3D的特点是它在3D封装CCD上具有薄层的3级S内存缓存。这一薄层非常脆弱，容易损坏。 AMD需要降低主CCD本身的频率和电压，以避免损坏V缓存。这就是为什么不允许超频，许多人找到了解决方法。即使在对芯片进行热约束之后， V缓存仍然会高温

之前在AMD锐龙5800X3D的库存中看到了90°C的温度，但现在情况不再如此。没有提供芯片散热的任何细节，或者在更换库存TIM后是否看到下降，是否剥离的芯片直接放在散热器下方。第二个过程有点危险，因为施加更大的压力会导致对小芯片的物理损坏，或者没有足够的压力会气穴比有库存的增加温度