芯片|实力被低估了？国产芯片巨头跳过192层，直接切入232层闪存生产闪存|it芯片|重器

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众所周知，我国在芯片半导体领域一直都处处受制于人，而造成这个结果出现的主要原因就是，以老美为首的西方国家对我们实施了技术“封锁” 。再加上，我们在该领域起步比较晚，发展早期又走上了“买办”路线，长此以往导致我们彻底失去了话语权。
【芯片|实力被低估了？国产芯片巨头跳过192层，直接切入232层闪存生产】不过，好的一方面是，在华为事件之后，国内市场开始认识到了自主研发的重要性，同时也认清了海外企业的“真面目” ，在关键时刻，海外企业一定是靠不住的，发生在俄市场的事情就是最好的证明。

其实，半导体芯片按其功能、结构的不同，可以分为计算芯片、存储芯片、感知芯片、通信芯片和能源芯片五大类，其中计算芯片和存储芯片占比较高，也是最难突破的。
不可否认的是，我国在计算芯片方面（CPU 、GPU）的技术比较薄弱，与世界先进企业存在较大的差距。而在存储芯片领域内，三星、SK海力士、美光是最强的三个玩家，可以说几乎垄断了该领域。

然而，随着一则消息的传来，似乎意味着国产存储芯片的实力被低估了，同时也意味着国产芯片企业欲弯道超车。
因为就在近日，有消息称，国产芯片巨头长江存储计划跳过192层，直接切入232层闪存生产。要知道，强如三星、SK海力士、美光等一流供应商，到明年初才能量产超200层闪存，而长江存储越过192层，直接生产232层，达到了一线水平。

虽然该消息未得到进一步的证实，但可以肯定的是，如果长江存储真的能跳过192层3DNAND在年底实现量产232层闪存芯片，那么就意味着我国在存储芯片领域的技术将达到国际先进水平。
值得一提的是，自从2016年成立开始，长江存储的发展历程可谓是充满了自主研发的烙印，其在2017年通过自主研发设计制造了首款3DNAND闪存；2019年其开始量产晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存；再到2020年，第三代TLC/QLC研发成功，推进到128层3D堆叠。

另外，此前有韩国研究机构出示了一份报告，称中韩在闪存技术上的差距已经缩短至两年，给出的理由是三星和SK海力士将在明年初量产超200层闪存，长江存储则要到2024年。而如今看来，它们低估了我国在存储芯片领域的实力。
总而言之，在举国上下的团结努力下，我们完全有理由相信，国产芯片一定能突破西方国家的技术封锁。试问一下，我国的两弹一星、空间站、载人火箭、盾构机等那一样不是在技术封锁下成功自主研发出来的？更何况，芯片是人造的，而并非神造的。
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