富士x|中国芯片传来捷报，长江存储取得技术突破，正式打破三星垄断腾龙镜头

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中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是业内奇迹般的崛起，拥有全领域最高单位面积的存储密度，这些，长江存储只用了3年的时间，完成了同领域需要6年才能走完的路。

懂行的朋友应该清楚，三星在存储芯片的层数最高量产也就是192层，也就是现在的世界顶尖水平， 200层以上，韩国三星还没能突破技术瓶颈，无法达到量产的水平。此前，长江存储已经推出了UFS3.1规格通用闪存芯片--UC023 ，要知道，在这一方面， NAND闪存的最高规格也就是US3.1 ，至于更高更先进的，韩国三星还仅存在于理论层面，没有技术支持，那么，这些意味着什么呢？

科学技术是第一生产力，创新是引领发展的第一动力，长江存储的技术突破带领国家发展走向更加现代化、科技化的道路，长江存储的成功，离不开自身对科研发展的热爱和追求，同时也离不开国家对科研工作的大力支持。现在长江存储的NAND 闪存芯片应用非常广泛，依托中国这个全球最大的市场，加上中国力推芯片自主化，长江存储得到了前所未有的发展机遇，如今除了华为，长江存储也打入了苹果供应链，为iPhone SE 3供应闪存芯片，这也是中国科技力量最好的体现。

当然，客观来讲，我们在这一领域需要努力的地方还有很多，毕竟我国起步较晚，加上西方国家对核心技术的恶意封锁，导致我们需要付出比常人更多的努力，但从成果来看，我们已经取得了跨越性进步。另外，在行业里看，其他厂商的发展速度也不能忽视，三星还在追赶224层3D闪存芯片的量产计划，所以从这个维度来看，我们离全球最顶尖水平还有1到2年的时间，不过我们相信，用不了多久，一定可以消除这个差距。

【富士x|中国芯片传来捷报，长江存储取得技术突破，正式打破三星垄断】总体来讲，长江存储的192层3D NAND闪存芯片，是中国芯片发展的一大里程碑，同时它也意味着，国产存储芯片在追赶美国、韩国顶尖企业的道路上，又迈进了一大步，由此可以带动其他芯片技术和相关产业的发展，只有掌握科学技术的核心，才能真正改变人类生产生活的方式，进而影响世界发展格局，这些都是我们努力就可以做到的事情，弘扬科学精神、传播科学思想，是我们新一代年轻人应该为社会发展、构建人类命运共同体做出的贡献。