三星电子|三星电子芯片高管洗牌，计划6月量产GAA工艺3nm芯片，赶超台积电芯片|台积电|it芯片

文章图片

【三星电子|三星电子芯片高管洗牌，计划6月量产GAA工艺3nm芯片，赶超台积电】目前全球的芯片代工主要台积电与三星两家，而三星近两年的工艺与台积电相比落下风。近日，据韩媒BusinessKorea报道的消息，三星电子已经更换下一代芯片半导体研发中心的负责人，并且对代工业务的主要高管进行了洗牌。

据了解，三星电子任命为Song Jae-hyuk半导体研发中心的新负责人，此前该人在垂直NAND闪存的转变和超级堆叠NAND闪存的开发受到赞誉。另外在代工业务中，设备解决方案（DS）部门半导体业务全球制造和基础设施副总裁Nam Seok-woo将兼任代工制造技术中心负责人， Nam Seok-woo是三星电子最好的存储半导体工艺开发专家之一，内存制造技术中心副总裁Kim Hong-shik被任命领导代工技术创新团队。

此次高管洗牌可能是为了解决良率低和未能开发第五代DRAM的问题。同时三星电子计划最早在6月量产世界上第一个基于GAA的3纳米芯片，超车台积电的量产3nm制程，如果能够确保稳定的产量，那将改变全球代工市场的格局。除此之外，还有消息称三星电子和英特尔可能试图共同接管ARM ，届时ARM技术或将被整合到三星电子的Exynos处理器中。