半浮栅晶体管作为一种新型的微电子基础器件 ， 它的成功研制有助于我国掌握集成电路的核心器件技术
【微电子|世界技术之最——微电子晶体管】复旦大学张卫教授团队把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来 ， 构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件 ， 即半浮栅晶体管 。 打个比方 ， 原来在浮栅晶体管中 ， 电子需要穿过的是一堵“钢筋水泥墙” ， 而在半浮栅晶体管中只需要穿过“木板墙” ， “穿墙”的难度和所需的电压得以大幅降低 ， 而速度则明显提升 。 这种结构设计可以让半浮栅晶体管的数据擦写更容易、更迅速 ， 整个过程都可以在低电压条件下完成 ， 为实现芯片低功耗运行创造了条件 。

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