数字经济时代 , 芯片扮演着重要角色 。 得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等 , 我国的半导体产业正在蓬勃发展 , 并不断拉近与先进地区、企业的差距 。
日前 , 韩国研究机构OERI在报告中称 , 估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年 。具体来说 , 三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或者说12nm)内存芯片 , 国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm(1y或者说16/17nm) 。
一般而言 , DRAM每一代的演进时间是2年到2年半 。 【芯片|国产内存芯片和三星的技术差距有几年:答案揭晓】按照正常节奏 , 国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距 , 可目前有一个比较棘手的问题在于 , 三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV(极紫外光刻)设备 , 而这对我们来说 , 暂时还没法获取 。
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