根据相关消息报道 ， 国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发 ， 并在今年年底前会实现量产交付 。 此前长江存储已经推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023 。
其实对于国产存储芯片来说 ， 我国的国产芯片存储技术已经达到了全球第一梯队的水平 。

首先是目前以量产水平来看 ， 最高量产的NAND闪存层数为192层 ， 而闪存规格来看 ， 最高量产规格为UFS3.1 ， 也就是说22年底我们可能实现量产 。
【闪存|国产存储技术达到全球第一梯队水平！】另外目前三星已经提出了UFS4.0规格 ， 三星也有突破200层的技术 ， 现在还没实现量产 ， 美光前段时间也推出了NAND闪存层数为232层的技术 。

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