路线图的进一步改进包括用于互连的直接金属蚀刻技术 ， 以及具有气隙的自对准通孔 。 互连 ， 即实现电力传输和通信的细线 ， 已成为扩展的最大障碍之一 。 随着时间的推移 ， 这个问题变得越来越明显——这些导线的宽度只需几个原子厚 。 Imec 还在研究替代铜的新金属 ， 其中石墨烯是候选金属 。
Imec 还在研究系统技术协同优化 (SCTO) 技术 ， 例如 3D 互连和 2.5D 小芯片实现 。 缺乏用于 3D 芯片设计的电子设计自动化 (EDA) 软件是阻碍更广泛行业采用的主要障碍 。 Imec 正在与 Cadence 合作 ， 以启用可简化 3D 设计过程的高级软件 。
延伸到 2030 年以后更广阔的视野 ， 我们看到 imec 设想新材料将取代硅和 2D 原子通道的出现 。 Imec 还认为 ， 随着行业无情地转向量子计算 ， 基于磁性的门可能会成为一种替代方案 。
原文：
https://www.tomshardware.com/news/imecs-sub-1nm-process-node-and-transistor-roadmap-until-2036-from-nanometers-to-the-angstrom-era