|华为正式官宣！外媒：确实大意了！

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【|华为正式官宣！外媒：确实大意了！】
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半导体行业是高度资本密集、技术密集型产业，想要在半导体领域脱颖而出，需要具有良好的原始资源积累，只有这样，才有希望快速地在产业中形成规模效应。

但中国在这一领域明显存在不足，多年的技术落后，导致整个产业链明显落后于欧美，正因为这样，华为才会在美方调整芯片规则之后停下海思芯片的生产计划。
毕竟台积电无法自由出货后，相当于掐断了华为海思芯片的生产渠道，不过华为从来没有放弃自研芯片的计划，尽管海思芯片已经停止生产了，但整个研发团队还保留着。
华为轮值CEO徐直军曾表示，华为对海思没有盈利诉求；任正非也表示，没有海思华为将寸步难行。从华为核心管理层的态度不难看出，华为绝不会放弃海思团队。
好在功夫不负有心人，华为似乎已经找到了绕开EUV光刻机生产高性能芯片的方案，从前不久华为发布的2021年报中，就可以了解到华为的下一步动向。

华为轮值董事长郭平在谈及芯片问题时表示，华为未来可能会采用多核结构，用堆叠、面积来换取芯片的性能。
而现在，这种多核堆叠结构已经被公布了，华为公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利，该专利于2019年9月提出申请，能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。
硅通孔技术作为一种高密度封装技术，可以让晶体管集成度更高，带来更强的性能表现，但较高难度的工艺，弊端是需要采用极紫外光EUV光刻机。
而EUV光刻机的价格是相当昂贵的，生产效率也很低，直接导致芯片制造的成本过高，再加上只有ASML可以提供EUV光刻机，所以华为才考虑其它方案，以规避EUV光刻机被卡脖子的问题。

华为这次对外公布的“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利，就能够有效地绕开EUV光刻机的问题，这是一种采用面积换性能、用堆叠换性能的方案，可以实现低工艺制程追赶先进工艺的可能。
其实在华为之前，苹果推出的M1 Ultra就是将两块M1Max拼接在一起，通过“多核”结构形成一颗芯片，性能也成倍提升，在如此短的时间内，就做出了比英特尔和AMD更优秀的芯片。
还有光刻机大厂佳能公司也传来了新消息，据悉该公司正在开发一种3D光刻机，明显是为了抢占先机，因为EUV光刻机的弊端和客户的需求，已经非常明显了。
由此可以看出，华为的这套方案是完全可行的，也是可以期待的未来发展方向。就在华为公布该发明专利之后，外媒也纷纷表示：ASML大意了。

因为业界已经意识到了一个问题，就是ASML所生产的EUV光刻机，未来将不再是提升芯片性能的唯一途径，通过用面积换性能、用堆叠换性能的方案，也可以做出性能很强的芯片。
如此一来，华为不用最先进的制程工艺，也同样能够实现芯片性能升级的目的，所以才会有外媒感叹道：ASML确实大意了！
这对于ASML来说确实不是好消息，因为ASML一直致力于提升光刻机工艺这条赛道，但如今正在被其它企业颠覆，摩尔定律也在失效，一切或许都会朝着另一个方向发展。
当然从短期来看， ASML生产的EUV光刻机现在依然有它的优势，未来也必定会有它的市场，毕竟前面已经提到，华为的这种方案是面积换性能、堆叠换性能，也就是会牺牲面积和空间。

因此华为设计的新方案，对于一些性能要求很高但设备尺寸很小的产品来说并不友好，小尺寸高性能芯片依旧需要EUV光刻机生产芯片，比如可穿戴设备，可能无法使用堆叠封装方案。
但这类产品终究不多，即便是智能手机受到的影响也会越来越小，因为现在的智能手机尺寸越来越大，而且正朝着折叠屏方向发展，所以智能手机也是完全可以采用这种堆叠芯片的。