那么是不是二合一平板电脑只能微软Surface这一个选择?我这次拿到的酷比魔方iWork GT无疑就是一个性价比超高的“平替”产品 , 价格仅为同配置微软Surface的一半 。 并且经过了一个星期的认真体验 , 感觉它的各方面表现都丝毫不会逊色于微软Surface 。 究竟它的体验如何 , 接着往下看就知道了 。
简单开箱+上手:
说到酷比魔方这个品牌 , 可能很多90后对其的认知度会比较高 , 因为上学那会MP3、MP4泛滥 , 其中国产品牌能排上号的无非就是酷比魔方、台电、昂达等等 。 只不过到了现在 , 只有酷比魔方还坚持在平板领域的 , 并且发展势头也越来越好;至于其他品牌要不早早地转行 , 要不已经销声匿迹了 。
(酷比魔方iPlay 40 Pro)
这次拿到的酷比魔方iWork GT为i5处理器+16GB内存+512GB固态版本 , 也是目前的顶配版本 。 键盘方面 , 其配搭了悬浮键盘以及磁吸键盘 。
这里也要说下悬浮键盘以及磁吸键盘的设计初衷 , 它们不仅仅是键盘 , 同时还是一个保护套 , 不仅仅是保护酷比魔方iWork GT的屏幕 , 整个平板机身都包裹的严严实实 。
比如下面这个就是配搭的磁吸键盘 , 把酷比魔方iWork GT整机包裹的很严实 。
酷比魔方iWork GT的开箱也非常简单 , 无非就是一个平板电脑+一个快速PD充电头+一根Type-C PD充电线 。 值得一提的是 , 该充电头可以支持5V 3A、9V 3A、12V 3A、15V 3A以及20V 2.25A的规格 , 也就是最大功率45W , 支持的PD协议也可以轻松满足一些日常设备的快充需求 。
至于键盘的体验 , 个人也分别对磁吸键盘和悬浮键盘分开进行测试 。 首先要说明的是双方的固定方式都是依靠背部磁吸 , 多点的设计配上强劲的吸力 , 这样在使用中能保证平板电脑与键盘不会分离、脱离 。
至于连接方面也都是物理方式 , 都是采用平板背后的金属触点进行连接 。 这也就意味着无论是磁吸键盘还是悬浮键盘都不需要额外充电 , 做到即贴即用 。
要说磁吸键盘与悬浮键盘的区别 , 个人觉得双方在输入体验上都完全没有问题 , 2个键盘都配有触控板 , 且都支持手势操作 , 个人觉得再配搭触控屏使用 , 几乎在一些日常工作中都用不上鼠标 。
不过就键盘质感、输入的手感以及人体工程学来说 , 悬浮键盘的优势会明显一些 。 并且悬浮键盘这个设计 , 个人觉得和苹果的秒控键盘有些类似 。 所以一个星期的体验中 , 我绝大多数时间都是配搭悬浮键盘使用 。
拓展方面 , 酷比魔方iWork GT也表现的很丰富 。 右侧是USB 3.0接口、3.5mm耳机麦克风接口以及一个TF卡读卡器 。
左侧则是搭载了2个全功能Type-C接口以及一个Micro HDMI接口 。 这里要强调一下配搭的全功能Type-C接口不但可以支持快充 , 而且还支持视频输出 。 这对于有拓展显示器的小伙伴也极为友好 , 再配上Micro HDMI接口 , 甚至组个双屏也不在话下 。
酷比魔方iWork GT的边框顶部左侧则是搭载了电源开关和音量调节键 , 日常休眠、调整音量也比较方便 。
边框顶部右侧则是一个出风口 。
没错 , 这表示酷比魔方iWork GT是内置风扇的二合一平板电脑 , 说明它的性能表现不错 , 否则直接用均热板等被动散热手段就可以满足需求了 。
至于酷比魔方iWork GT的边框以及后盖的工艺方面 , 双方也可以用异曲同工来形容 。 就拿微软Surface来说 , 整个后盖使用了镁铝合金材质 , 虽然触感和质感都像塑料 , 但做工方面真的没的说 。 同样 , 酷比魔方iWork GT也是采用了镁合金 , 给人的触感和质感也是像塑料 。 是不是非常有趣?
性能表现:
究竟酷比魔方iWork GT的性能表现如何?我也对其按照笔记本电脑的标准来了一轮测试 。
先来看看喜闻乐见的鲁大师 。 酷比魔方iWork GT的硬件配置识别的都还比较准确 。
CPU:intel 11代酷睿i5-1135G7内存:LPDDR4 16GB 4267MHz(海力士颗粒)
屏幕:京东方BOE00B5
硬盘:前景VP1000F 512GB M.2高速固态(江波龙)网卡:Intel AX201(Wi-Fi 6)
系统:Windows 11家庭版
测试出来的总分为844785分 , 其中i5-1135G7处理器的得分为384305 , 集显得分为120347 , 内存得分为206199 , 硬盘得分为133934 。 鲁大师给出的评价是可以流畅运行一些DOTA 2、英雄联盟网游、PS等绘图软件也不在话下 , 可满足用户的日常娱乐需求 。
通过鲁大师的测试 , 基本可以判断出酷比魔方iWork GT的性能如何 。 就拿其搭载的i5-1135G7处理器来说 , 发布时间是在去年 , 工艺制程为10nm , 四核心八线程设计 , 集显为Intel Iris Xe Graphics , 至于TDP , intel官方表示为12-28W 。
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