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【华为智慧屏|小米首款自研芯片被质疑“换皮”?官方已辟谣】
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小米在去年12月发布了小米12系列旗舰机 , 其中小米12 Pro不仅有高通最新骁龙8 Gen1芯片 , 而且还搭载了小米首款自研充电芯片:澎湃P1 。
笔者了解到 , 小米的澎湃P1是行业首款谐振充电芯片 , 此前传统电荷泵是通过变压和直通两种模式工作 , 而澎湃P1则是通过单颗芯片完成六种变压模式 , 结合双向导通 , 可以有15种排列组合的模式切换 , 是传统电荷泵的7倍之多 。 小米的这种方案可以让搭载澎湃P1充电芯片的移动设备拥有更高效的输出效率 , 根据小米官方公布的数据显示 , 输出效率已经达到了96.8% 。 小米同时将内部电路简化 , 可以避免发热位置过于集中 , 也有利于增强散热 。
自从这颗澎湃P1芯片发布后 , 网络一直都在争论这颗芯片是否为“真自研” 。 笔者了解到 , 近日有部分网友发文称澎湃P1芯片并非小米自研 , 而是把南芯半导体研发的充电芯片重新“换皮”后贴上了“自研”标签 。 面对愈演愈烈的网络传言 , 南芯半导体公司在2月8日正式发表声明 , 表示小米澎湃P1是“换皮”芯片的言论不实 , 与事实完全不符 。
声明中提到:“小米澎湃P1充电芯片为小米自研设计 , 南芯半导体代工制造(内部代号SC8561) 。 这款充电芯片具备超高压4:1充电架构 , 实现了120W单电芯充电 , 支持1:12:1和4:1转换模式 , 所有模式均可双向导通 , 可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能 。 ”
至于网络上所说的这颗南芯SC8571充电芯片 , 实际上是南芯半导体在2021年9月发布的 , 芯片是超高压4:2充电架构 , 可实现120W双电芯充电 , 主要是针对有超大功率充电需求的设备 , 支持4:2、2:2两种模式 。 两颗芯片的充电功率相同 , 这是否意味着是同款呢?南芯表示 , 小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同 , 是不同设计、不同功能、不同定位的两颗独立充电芯片 。
从南芯半导体的声明来看 , 可以确定的是 , 小米这颗澎湃P1充电芯片确实和南芯半导体公司有关系 , 但仅仅是代工制造 , 而所谓的“换皮”则是谣言 。 此外 , 南芯半导体也详细解释了两颗芯片的拓扑结构 , 从技术上看 , 可以说两颗芯片之间没有任何相同之处 。
目前南芯半导体方面已正式辟谣 , 这也印证了小米是自研充电芯片 , 也请大家不要再以谣传谣 。 从去年开始 , 有部分国产手机厂商都开始做自研芯片 , 虽然都是一些非核心部件 , 但能走出这一步已实属不易 , 笔者希望各路网友都能“嘴下留情” 。
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