外媒:台积电三星3nm制程工艺研发均遭遇挑战 可能推迟


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1月3日消息 , 据国外媒体报道 , 台积电和三星这两大芯片代工商的制程工艺 , 均已提升到了5nm , 更先进的3nm也在按计划推进中 , 台积电3nm工艺的芯片生产工厂更是已经建成 , 计划在今年风险试产 , 明年下半年大规模量产 。
但产业链方面最新的消息显示 , 台积电和三星3nm制程工艺的研发均遇到了挑战 , 遇到了不同的关键技术瓶颈 , 研发进度也不得不推迟 。
台积电CEO魏哲家此前在财报分析师电话会议上透露的消息显示 , 他们的3nm工艺仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET) 。 而三星的3nm工艺则由不同 , 外媒称他们将采用环绕栅极晶体管技术(GAA) 。
【外媒:台积电三星3nm制程工艺研发均遭遇挑战 可能推迟】目前还不清楚台积电和三星3nm工艺研发过程中遇到的关键瓶颈 , 会对研发进程造成多大的影响 , 是否会影响到最终的量产时间也还不得而知 。
对于台积电的3nm工艺 , 外媒此前在报道中称他们准备了4波产能 , 首波产能中的大部分将留给多年的大客户苹果 , 后三波产能将被高通、英特尔、赛灵思、英伟达、AMD等厂商预订 。
(来源:TechWeb)
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