湖南大学的研究成果:沟道长度仅0.65nm,芯片可至1nm以下我们知道

我们知道，在芯片领域，有一个摩尔定律，那就是制程节点以0.7倍（实际为根号2的倒数）递减逼近物理极限，从1μm、0.8μm、0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm、5nm、3nm、2nm……
那么这些所谓的7nm、5nm、3nm这些工艺节点，究竟代表的是什么？其实严格的来讲，是指晶体管导电沟道的长度，简称沟道长度。

文章图片
在10nm或以前的工艺中，沟道长度就是指芯片工艺，比如大家熟悉的XXnm 。后来某些芯片代工大厂，不再严格遵循这一理论了，把XX工艺变成了数字营销游戏，但沟道长度依然是一个最重要的指标。
因为现在集成电路的功能越发复杂，晶体管越来越多，密度越来越大，这就要求在芯片上能够集成更多的电路，这就必然沟道越来越小，同时沟道长度越来越小的同时，开关的速度越快，芯片的性能也越来越高。

文章图片
但在沟道长度不断缩小的同时，也带来了一个问题，那就是迁移率降低、漏电流增大、隧穿电流增大、功耗增加等，这也称之为短沟道效应。
如何在沟道长度变小的同时，也有着较好的特性，不至于带来较大的短沟道效应？近日，湖南大学团队有了一个新的研究成果。
他们实现了超短沟道的垂直场效应晶体管（VFET），沟道长度可以缩短到0.65nm ，意味着芯片工艺，可以进入到1nm级别，目前这个研究的论文登上了《NatureElectronics》。

文章图片
【湖南大学的研究成果:沟道长度仅0.65nm,芯片可至1nm以下】当然，目前这项技术更多的还是停留在实验室阶段，真正要走进生产车间，真正去实现1nm芯片的量产，可能还有一段距离，但不可否认的是，这一技术的实现，为生产1nm级别的芯片，带来了希望。