暖夏少年|7月新品推荐：汽车GPU、开关IC、MOSFET、储能电容器( 二 ) 汽车级图形处理器7月8日

双MOSFET7月9日， Vishay推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT ，将高边TrenchFET?和低边SkyFET? MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR? 3.3 mm * 3.3 mm封装中。该器件提高了功率密度和效率，同时有助于减少元器件数量、简化设计，适用于计算和通信应用功率转换。
新发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。通道1MOSFET在10和4.5V条件下，最大导通电阻分别为4.5mW和7.0mW 。通道2MOSFET在10V和4.5V条件下，导通电阻分别为1.84mW和2.57mW 。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC 。
新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。
储能电容器7月13日， Vishay推出七款用于能量采集和备用电源应用的小型ENYCAP?双层储能电容器，外形尺寸从10mm * 20mm到12.5mm * 40mm ，容值为5F至22F 。
最新推出的小型ENYCAP系列电容器包括标准型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高压230 EDLC-HV和加固型高压235 EDLC-HVR ，具有更高功率密度，节省各种工业、再生能源和汽车应用空间，包括智能电表、手持电子设备、机器人、能量采集设备、电子门锁系统、应急照明等。
Vishay的ENYCAP电容器适用于各种标准和恶劣高湿环境， +85℃条件下使用寿命长达2,000小时，免维护，具有极高的设计灵活性。器件坚固耐用，经过1500小时85℃/相对湿度85%带电测试，耐潮能力达到最高等级，高压电容器额定电压达3.0V 。器件经过AEC-Q200认证，符合RoHS标准，可进行快速充放电，提供通孔封装版本。
外型尺寸更小的ENYCAP电容器现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为六周。