10、PI INN3268C

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PI INN3268C片内置了PWM主控、高压MOSFET以及次级同步整流控制器以及反馈电路等，无需光耦，外围简洁，可用于最大50W的充电器应用 。
Reactor-Micro亚成微

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初级芯片：
1、Reactor-Micro亚成微RM6715S

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初级PWM主控芯片采用亚成微RM6715S，这是一种自供电双绕组离线式开关电源管理芯片，内置高压 MOSFET及电流模式 PWM+PFM 控制器，满足六级能效标准 。同时，RM6715S内置高压启动电阻，专利技术为VCC供电，无需外部辅助绕组，节约设计成本 。
RM6715S芯片内置多种工作模式，在轻载情况下，芯片进入Burst mode模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在待机模式下，电路进入打嗝模式，有效降低电路的待机功耗 。内部集成斜坡补偿模块，有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压 。此外，芯片内部还集成多种异常状态保护功能，在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，异常解除，恢复正常输出 。
次级芯片：
1、Reactor-Micro亚成微RM3403SH

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亚成微RM3403SH内部集成同步整流MOS管，集成度同样很高，并支持DCM、CRCM、CCM和准谐振等多种工作模式 。
Silan士兰微电子

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初级芯片：
1、Silan士兰SDH8666Q

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士兰SDH8666Q是士兰微电子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，导阻0.55Ω，可广泛适用于36W适配器或48W开放环境，包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等，此前充电头网已经对该款芯片进行相关报道 。
Si-Power硅动力

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初级芯片：
1、Si-Power硅动力SP6638HF

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Si-Power硅动力的高性能、低功耗开关电源控制芯片SP6638HF，内置初级开关MOS，用于功率在18W以内的方案 。SP6638HF是国内首款内置MOS支持恒功率模式的18W快充芯片，采用行业领先的3D封装技术 。配套同步整流芯片SP6518F：内置80V/10mΩ低压MOS，带自供电工作模式，完美支持PPS 。
2、Si-Power硅动力SP6648HF

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PWM主控芯片采用无锡硅动力SP6648HF，这是一颗电流模式PWM控制芯片，其内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案 。SP6648HF在PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定 。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整 。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率 。
次级芯片：
1、Si-Power硅动力SP6518F

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