_本文原题：三星芯片或直接升至3mm工艺 以和台积电竞争
来源：新浪VR

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据外媒报道 ， 近日三星更新了他们的芯片工艺线路图 ， 其中三星在芯片工艺上将会跳过4nm制程工艺 ， 直接从5nm制程工艺提升至3nm制程工艺 。 三星这样的计划 ， 主要是为了能够与行业前列的台积电进行竞争 。
台积电近几年一直走在行业前列 ， 除了7nm和5nm工艺都是率先量产 ， 他们还获得了大量的其他企业的代工合同 。 三星现在直接进行3nm工艺研发 ， 就是为了缩小与台积电的差距 ， 甚至实现超越 。
而台积电的3nm工艺 ， 在公司创始人张忠谋退休前就已开始谋划 ， 在他退休前8个月的一次采访中 ， 就谈到3nm工厂 ， 当时他透露采用3nm工艺的芯片制造工厂计划在2022年建成 ， 保守估计建成时可能会花费150亿美元 ， 最终可能会达到200亿美元 。
按照5月份时候的计划 ， 三星将会从8月份开始批量生产5nm Exynos芯片 ， 同时他们还会继续改进已经推出的7nm芯片Exynos 990 。
消息人士透露 ， 三星已经完成了基于5nm EUV工艺的下一代Exynos SoC批量生产所需的所有准备工作 。 三星的芯片部门还在等待 ， 等待有关是否要用在Galaxy Note 20系列中的决定 。
【砍柴网三星芯片或直接升至3mm工艺 以和台积电竞争】另外 ， 三星从今年2月份开始就已经在批量生产用于移动设备的16GB LPDDR5 DRAM芯片 。 这些芯片已经用在了三星Galaxy S20 Ultra 5G版身上 。 近期 ， 三星增加了这款芯片的产量 ， 因此有理由相信将会运用在三星Galaxy Note20系列身上 。

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