器件|原创新洁能：致力于成为具有国际竞争力的半导体功率器件领军企业( 二 ) 功率|器件|公司|竞争力|国际|企业|行业

截至2020年1月19日，新洁能拥有97项专利，其中发明专利35项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列。同时，公司拥有的该等专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。
此外，公司参与在 IEEE TDMR 等国际知名期刊中发表论文13篇，其中SCI收录论文7篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距，拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。
新洁能与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 MOSFET、IGBT 的研发和产业化，在已推出先进的超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和超薄晶圆 IGBT 数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。
【器件|原创新洁能：致力于成为具有国际竞争力的半导体功率器件领军企业】目前，新洁能率先在国内研发基于12英寸晶圆片工艺平台的 MOSFET产品，部分产品已处于小批量风险试产环节。另外，公司还进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。