cnBeta|筑建技术壁垒,三星已成立专家组以提高NAND闪存生产良率
在去年开始量产128层的第六代NAND闪存芯片之后 , 三星又在两个月前宣布研发160层的NAND闪存芯片 。 现在援引韩媒报道 , 这家韩国芯片巨头已经成立了一个专家组 , 以提高其闪存芯片的生产良率 。
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图片来自于三星官网
【cnBeta|筑建技术壁垒,三星已成立专家组以提高NAND闪存生产良率】据悉 , 该小组有来自三星设备解决方案(SDS)制造技术中心的专家、以及负责NAND闪存生产的高管 。 新的团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题 , 并实施提高整个流程生产效率的步骤 。
目前在128层V-NAND闪存芯片生产方面 , 三星面临着英特尔和YMTC(长江存储技术有限公司)等公司的激烈竞争 , 因此公司希望确保工艺是行业内最高效的 , 并提高生产良率 。 公司还在投资扩大内存芯片的产能 。
韩国芯片巨头采用的是通道孔蚀刻技术 , 从上到下穿孔叠加128层 。 这提供了层与层之间的电连接 。 层数越高 , 内存容量越大 。 单堆叠法表示一次穿孔的工艺 , 三星在生产第6代NAND闪存芯片时采用了这种方法 , 以提高价格竞争力 。 还有一种双层叠加法 , 就是分两步穿孔 , 但成本高达30%以上 。
据称 , 与穿透96层NAND闪存芯片相比 , 穿透128层NAND闪存芯片所需的时间是其两倍 。 三星的新任务组将努力克服尽可能多的限制 , 形成更大的技术壁垒 。 这是三星“SuperGap”计划中的重要一环 , 希望通过巨大技术优势让竞争对手无法追赶 。
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