三星|三星宣布成功完成8nm射频解决方案开发 |5g|三星电子|

站长之家(ChinaZ.com)6月10日消息:三星电子6月9日宣布，已推出基于8纳米工艺的最新射频 (RF) 技术。这种尖端的代工技术有望提供“单芯片解决方案” ，专门用于支持多通道和多天线芯片设计的5G 通信。三星的8nm 射频平台扩展有望扩大该公司在5G 半导体市场的领先地位，从低于6GHz到毫米波应用。

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三星的8纳米射频工艺技术是已经广泛的射频相关解决方案组合技术，包括基于28纳米和14纳米的射频。自2017年以来，三星通过为高端智能手机出货超过5亿个移动射频芯片，确立了其射频市场领导地位。
“通过卓越的创新和工艺制造，我们加强了下一代无线通信产品， ”三星电子代工技术开发团队主管Lee Hyung-jin说。 “随着5G毫米波的扩展，三星的8nm RF将成为寻求在紧凑型移动设备上获得长电池寿命和出色信号质量的客户的绝佳解决方案。 ”
随着向高级节点的不断扩展，数字电路在性能、功耗和面积 (PPA) 方面有了显着改善，而模拟/RF模块由于退化寄生效应(例如窄线宽导致电阻增加)而没有获得这种改进。结果，大多数通信芯片趋向于出现RF特性劣化，例如接收频率的放大性能劣化和功耗增加。
为了克服模拟/射频缩放挑战，三星开发了一种独特的8nm射频专用架构，名为RFextremeFET (RFeFET) ，可以显着改善射频特性，同时降低功耗。与14nm RF相比，三星的RFeFET补充了数字PPA缩放，同时恢复了模拟/RF缩放，从而实现了高性能5G平台。
三星的工艺优化最大限度地提高了通道移动性，同时最大限度地减少了寄生效应。由于RFeFET的性能大幅提升，可以减少RF芯片的晶体管总数和模拟/RF块的面积。
与14nm RF 相比，由于采用 RFeFET 架构创新，三星的8nm RF 工艺技术可将功率效率提高35% ，同时将 RF 芯片面积减少35% 。
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