#普华有策#比率处于逐年上升态势（附报告目录），刻蚀设备国产化率达到18% 刻蚀设备国产化率达到18%

刻蚀设备国产化率达到18% ，比率处于逐年上升态势（附报告目录）
1、刻蚀设备行业概述
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模占比超过集成电路设备整体市场规模的80% 。
相关报告：北京普华有策信息咨询有限公司《刻蚀设备行业细分市场深度调研与投资投资可行性分析报告（2020-2026年）》
晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。刻蚀（Etch）是IC制造中相当重要的工艺，成本仅次于光刻（刻蚀20% ，光刻30%），与光刻相联系的图形化处理。刻蚀，狭义上就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。
按照原理不同，刻蚀可分为干法和湿法两种，其中干法刻蚀工艺占比90%以上。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，湿法刻蚀由于需要大量对人体和环境有害的腐蚀性化学试剂，逐步被干法刻蚀替代。
按被材料不同，刻蚀可分为硅刻蚀、介质刻蚀和金属刻蚀等，其市场占比分别为47%、48%和3% 。介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅，接触孔和通孔结构的制作需要刻蚀介质，而具有高深宽比（窗口的深与宽的比值）的窗口刻蚀具有一定的挑战性。硅刻蚀应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容。金属刻蚀主要是在金属层上去掉铝合金复合层，制作出互连线。
2、全球刻蚀设备行业市场规模分析
随着集成电路制造线宽不断缩小、芯片结构3D化，互连层数增多，带动刻蚀和镀膜需求增多，从2013年之后，刻蚀设备在产线中价值占比显著提升。目前，全球刻蚀设备市场以介质刻蚀和硅刻蚀为主，分别占比合约48%和47% ，而金属刻蚀仅3% ，这与2010年后整个集成电路工艺从铝互连（刻蚀铝金属）转向铜互联（刻蚀介质）有关，金属刻蚀与介质刻蚀此消彼长。
先进制程及芯片微缩带动设备需求，刻蚀行业迎增量。受限于193nm的浸没式光刻机限制，晶圆制造向7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展，除了采用昂贵的EUV光刻机之外， 14nm及以下的芯片制造很多都通过多重模板效应来实现制程微缩，刻蚀加工步骤增多。 10nm制程是关键节点，相较于14nm ，其刻蚀步骤为115步，增加77% ，到5nm制程刻蚀步骤将是14nm的2.5倍及以上。
2014-2016年全球刻蚀设备市场规模处于60亿美元左右震荡态势。 2017、2018年增长率出现突破式增长，尤其是2017年增长率高达41%以上，到2018年市场规模创出新高，突破100亿美元。预计未来几年，全球刻蚀设备行业规模将处于稳健增长趋势。
2014-2018年全球刻蚀设备市场规模增长分析

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资料来源：普华有策市场研究中心
3、全球刻蚀设备行业竞争格局分析
从全球市场分析，在需求增长较快的刻蚀设备领域，行业集中度较高，泛林半导体占据刻蚀设备市场份额半壁江山。泛林半导体市场份额约55% ，东京电子其次，市占率约20% ，应用材料与东京电子相当，市占率约19% 。
4、刻蚀设备国产化程度分析
目前，刻蚀机国产化率达到18% ，晶圆加工核心设备中国产化率占比最高的，且比率处于逐年上升态势。中微公司和北方华创市场份额占比较大，国产化贡献率较高。根据中芯国际、长江存储和合肥睿力的招标情况看，从中微采购的刻蚀机台数占整体刻蚀机台采购比例约15-20% ，逼近东京电子和应用材料，进步明显。