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相对于第二代工艺 ， 维安第三代深沟槽工艺是基于8英寸工艺实现的 ， 品质因数FOM下降了24% ， pitch更小、开关电荷较低 ， 并且成本较低 ， 性价比更高 。
超结技术硅和氮化镓MOSFET对比

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对比SJ-MOSFET与GaNE-HEMT结构来看 ， GaN是横向结构 ， 无掺杂低杂质 ， 可以实现高电子迁移率 ， 而SJ-MOSFET是一个垂直结构的器件 。 从材料来看 ， SJ-MOSFET仅采用硅材料而GaN是采用Si衬底以及GaN、AlGaN多种材料复合而成 ， 工艺难度较大 。

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从两种器件的截面图来看 ， SJ-MOSFET是垂直型结构 ， GaN是平面型结构 。

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从两种器件的等效电路模型来看 ， SJ-MOSFET寄生bodydiode具有雪崩特征 ， GaN无雪崩特性 。 因此 ， GaN在耐电压特性方面并不如意 。

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在开关损耗/结电容方面 ， SJ-MOSFET在0-40V的开关损耗较大 ， 而GaN的开关损耗较小且变化较小 。

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从功率器件的关键参数来看 ， SJ-MOSFET在反向阻断能力、反向阻断耐量、正向导通表现更好 ， 而GaNHEMTs在正向导通表现更好 ， 不过 ， 这对EMI方面却并不利 。
SJ-MOSFET充电器与GaN充电器的对比

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小米65WGaN充电器内部结构比较紧凑 ， 内部空间运用得比较极致 ， 其PCB尺寸是31mm*31mm*56.2mm ， 功率密度是1.2W/cm3 。

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SilannaACF（有源钳位）65W的评估板采用了维安第三代深沟槽工艺的SJ-MOSFET ， 其PCB尺寸是50mm*50mm*22mm ， 功率密度是1.18W/cm3 ， 集成高压有源钳位FET ， 整体效率可以到达93%以上 。

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SilannaACF65W解决方案初级MOSFET采用的是WML14N65C4 ， 同步整流MOSFET采用了WMB129N10T2 ， 负载开关MOSFET为WM06DN03D 。

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从板端效率测试来看 ， 采用维安SJ-MOSFET的Silanna评估板待机功耗远低于100mW ， 符合标准 ， 而两者的平均效率差异不大 ， 都远远超过标准要求 。

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在运行波形方面 ， 维安第三代SJ-MOSFET开关频率为92.05kHz ， 电流最大值为2.36A ， 但GaN的耐压值为452V ， 非常低 ， 但驱动电压为5.2V ， 开关频率为374kHz ， 非常高 。

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超级结硅MOSFET和GaNHEMTs主要差异CGS+CGD(VDS),硅MOSFET结电容相对较大 ， 故最大使用开关频率比GaN小 ， 上图硅开关频率是GaN的1/4；高开关频率不可忽视的是磁性器件的损耗 ， 比如变压器磁滞损耗、涡流损耗和气息损耗 。

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