小米自研芯片被骂贴牌小米的自研芯片 _小知识

华为有性能爆表、功耗优秀且自主研发而来的麒麟芯片；
vivo 有服务于专业影像计算系统的 V1 影像芯片；
临近发布的 OPPO FIND X5 会带来其首款自研的 NPU 芯片 —— 马里亚纳 MariSilicon X;
至于小米，为了实现手机上的 120W 单电芯技术，自主研发了澎湃 P1 充电芯片。

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这对于小米来说本来是一件值得骄傲的事，但最近却 “出事” 了。
前不久，有一名微博用户发布推文，写着澎湃 P1 配上一个微笑的表情，配文下方是一张澎湃 P1 芯片与南芯半导体芯片的晶圆丝印对比，从图中可以看到，两者几乎一模一样。

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对此就有网友留言表示，澎湃 P1 芯片是买来的。

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随着谣言的进一步扩散，事件方的另一位主角，南芯半导体看不过去了，在当天就发表了官方声明。

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官方表示，小米澎湃 P1 芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号 SC8561）。这款芯片具备超高压 4:1 充电架构，实现了 120W 单电芯充电。
支持 1：1、2：1 和 4：1 的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能。
同时官方还在声明中称，南芯半导体此前曾在 2021 年 9 月推出代号为 SC8571 的芯片。该芯片为超高压 4：2 充电架构，同样可以实现 120W 双电芯充电。
小米自研的澎湃 P1 芯片与南芯 SC8571 在拓扑结构上完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。

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简单点来说就是澎湃 P1 由小米自主研发设计，南芯负责代工。这就好比苹果 A15 是由台积电负责代工，高通骁龙 8 Gen 1 芯片由三星代工，是一个道理。

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其次，充电芯片不像手机的 SOC，需要集成通信基带、GPU 图形处理器、ISP 图像处理器、NPU 神经网络处理器等等，难度相较而言没有那么大。
而小米作为一家市值接近 4000 亿港元（之前突破了 4000 亿但又跌落下来了）的科技公司，想做好一个充电芯片也是没有问题的，就算用钱砸也能砸出来。

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所以关于自研芯片这件事，小米没必要搬起石头砸自己的脚，给自己留下不必要的信任危机和把柄。
我们再来说说充电芯片这件事，其实 120W 目前已经见怪不怪了，也不是小米独有。
和小米合作代工的南芯半导体，就曾在 2021 年 9 月推出代号为 SC8571 的芯片。该芯片为超高压 4：2 充电架构，同样可以实现 120W 双电芯充电。
但是，小米这颗澎湃 P1 芯片还是要更胜一筹的。它是行业首次实现 “120W 单电芯” 充电技术。而之前都是采用的串联双电芯。

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小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路。
大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到 120W 高功率快充。

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驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1 。它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。
澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构，谐振拓扑效率高达 97.5%，非谐振拓扑效率为 96.8%，热损耗直线下降 30%。

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澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通。
这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍。
正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高，正向 2:1 模式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电。

小米自研芯片被骂贴牌 小米的自研芯片

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