#朱邦凌#疫情难阻“中国芯”崛起！长江存储研发成功全球首款128层QLC闪存作为闪存行业的新人

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作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。 4月13日，长江存储最新128层QLC3DNAND闪存，宣布在武汉光谷研发成功，这是全球首款128层QLC闪存。目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。同时，该公司发布了两款128层3DNAND芯片产品，分别为容量1.33Tb的128层QLC3DNAND闪存和512Gb的128层TLC3DNAND闪存(型号：X2-9060) 。
作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。所谓QLC ，是继当前TLC(3bit/cell)后3DNAND闪存新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。
【#朱邦凌#疫情难阻“中国芯”崛起！长江存储研发成功全球首款128层QLC闪存】据介绍，每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元，每个存储单元可存储4字位(bit)的数据，共提供1.33Tb的存储容量。
在业内人士看来，长江存储此次发布QLC的128层3DNAND闪存芯片具有里程碑意义。 128层3DNAND是业界主流技术，也是各国际大厂争夺的焦点。三星在2019年8月宣布推出首个100+层的TLC3DNAND闪存；美光在同年10月初宣布第一批第四代3DNAND闪存芯片流片出样；SK海力士在11月宣布128层TLC的3DNAND闪存产品出样。

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相比这些大公司，长江存储成立短短4年，就已经发布了128层的闪存产品。半导体行业评论员、芯思想研究院创始人赵元闯认为，长江存储此次发布128层产品意味着其朝闪存行业第一梯队迈进。
存储器是半导体产业的重要分支。中信证券电子组表示，存储芯片产业2019年全球销售额约1200亿美元，约占全球4000亿美元半导体市场的30% 。其中， DRAM约620亿美元， NANDFlash约570亿美元。韩美3家DRAM厂商占全球95%的份额，其中韩国厂商三星、SK海力士占75% 。韩美日6家NANDFlash厂商占全球99%的份额，其中韩国三星、SK海力士以及日本铠侠（原东芝）3家的份额超过60% 。
长期以来，我国使用的存储芯片严重依赖进口。以2018年为例，根据智研咨询统计，我国集成电路进口额达3120亿美元。其中，存储芯片为1230亿美元，占集成电路进口总额的39% 。目前，长江存储、长鑫存储、福建晋华等3家国内厂商正奋力追赶。随着量产的推进，我国依赖进口的局面有望得到缓解。长鑫存储和福建晋华主攻DRAM ，前者去年9月宣布内存芯片自主制造项目投产。
据官网介绍，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3DNAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3DNAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC3DNAND闪存正式量产。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工5000余人，其中研发工程师约2000人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。