[cnBeta]美光的HBM2 DRAM即将开始出货


在最新财报中 , 美光科技(Micron Technologies)宣布旗下第二代高带宽存储器(HBM2)即将开始出货 。 HBM2主要用于高性能显卡、服务器处理器以及各种高端处理器中 , 是相对昂贵但市场紧需的解决方案 。
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第二代高带宽存储器(HBM2)指定了每堆8个裸晶及每针传输速度上至2 GT/s的标准 。 为保持1024比特宽的访问 , 第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到256GB/s的内存带宽及上至8GB的内存 。 业界预测第二代高带宽存储器对极其需要性能的应用程序 , 如虚拟现实 , 至关重要 。
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2016年1月19日 , 三星集团宣布进入大量生产第二代高带宽存储器的早期阶段 , 每堆拥有高达8GB的内存 。 SK海力士同时宣布于2016年8月发布4GB版本的内存 。 而伴随着美光的即将出货 , 存储器市场将会再次形成三雄割据的场面 。
此前 , 美光的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集(HMC)DRAM类型上 , 不过这种类型的DRAM并没有获得太多客户的吸引力 , 因此始终没有太大的改变 。 仅使用了少数稀有产品 , 如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超级计算机中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU 。
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美光宣布将在2018年暂停HMC的工作 , 并决定致力于GDDR6和HBM的开发 。 因此他们将会在今年的某个时候发布搭载HBM2 DRAM的产品 。