「预计 5 分钟读完」第三代半导体材料SiC的前景与布局碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等为代

碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等为代表的第三代半导体材料。
目前全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，主要应用在资讯与微电子产业，不过，随着电动车、5G等新应用兴起，推升高频率、高功率元件需求成长，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，也让厂商开始争相投入化合物半导体领域。

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在第三代半导体材料中碳化硅是目前发展最成熟的。随着生产成本的降低， SiC半导体正在逐步取代一、二代半导体。碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封装和终端应用等环节。
碳化硅具备低导通电阻、高切换频率、耐高温与耐高压等优势，可应用于1200伏特以上的高压环境。相较于氮化镓，碳化硅更耐高温、耐高压，较适合应用于严苛的环境，应用层面广泛，如风电、铁路等大型交通工具，及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。
随着电动车与混合动力车发展，碳化硅材料快速在新能源车领域崛起，主要应用包括车载充电器、降压转换器与逆变器。且据研究机构HIS与Yole预测，碳化硅晶圆的全球电力与功率半导体市场产值，将从去年的13亿美元，扩增至2025年的52亿美元。
目前碳化硅晶圆市场由CREE独霸，市占率高达6成之多，台湾硅晶圆大厂、也是全球第三大硅晶圆供应商环球晶，也积极跨入碳化硅晶圆领域，已有产品小量出货，去年8月更宣布与GTAT签订碳化硅晶球长约，确保取得长期稳定、且符合市场需求的碳化硅晶球供应，以加速碳化硅晶圆产品发展。
另一家台湾硅晶圆厂合晶也持续关注碳化硅或氮化镓产品，并评估进行策略合作，未来可能与其他厂商结盟。韩国唯一的半导体硅晶圆厂SKSiltron ，也呼应韩国政府近来推动的材料技术自主化政策，今年2月底收购美国化学大厂杜邦(DuPont)的碳化硅晶圆事业，积极切入次世代半导体晶圆技术。
【「预计 5 分钟读完」第三代半导体材料SiC的前景与布局】除硅晶圆厂外，台湾投入碳化硅领域的还包括布局最早的汉磊投控(3707-TW) ，已在此领域建立完整生产链，旗下磊晶硅晶圆厂嘉晶(3016-TW)切入4吋与6吋SiC磊晶硅晶圆代工服务，已获客户认证并量产；同集团的晶圆代工厂汉磊科，则提供SiCDiode、SiCMOSFET代工服务。
近来新加入市场的，还有寻求新事业发展的太阳能厂太极。太极上(2)月与中科院签署碳化硅专利授权合作开发合约，将着墨在碳化硅长晶与基板，初期切入高压功率元件应用市场，最快第4季可量产基板。
而在IDM厂方面，除英飞凌(Infineon)、罗姆(ROHM)等IDM大厂积极布局外，安森美半导体(ONSemiconductor)也在本月与GTAT签订5年碳化硅材料供给协议。
虽然受限成本与技术门槛较高、产品良率不高等因素，使碳化硅晶圆短期内难普及，但随着既有厂商与新进者相继扩增产能布局，且在电动车、5G等需求持续驱动下，可望加速碳化硅晶圆产业发展。