数字集成电路分析与设计的书目录_生活广记

第1章深亚微米数字集成电路设计
1.1绪论
1.2集成电路产业的简要历史
1.3数字逻辑六设计的回顾
1.1.1基本的逻辑函数
1.1.2逻辑电路的实现
1.1.3噪声容限的定义
1.1.4瞬态特性的定义
1.1.5功耗估算
1.4数字集成电路设计
1.4.1MOS晶体管的结构和工作原理
1.4.2CMOS与NMOS
1.4.3深亚微米互连
1.5数字电路的计算机辅助设计
1.5.1电路模拟和分析
*1.6面临的挑战
1.7小结
1.8参考文献
1.9习题
第2章MOS晶体管
2.1绪论
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
2.2MOS晶体管的结构和原理
2.3MOS晶体管的阈值电压
2.4一次电流-电压特性
2.5速度饱和公式的来源
2.5.1高电场的影响
2.5.2速度饱和器件的电流公式
*2.6α功率定律模型
2.7亚阈值传导
2.8MOS晶体管的电容
2.8.1薄氧化物电容
2.8.2pn结电容
2.8.2覆盖电容
2.9小结
2.10参考文献
2.11习题
第3章制造、版图和模拟
3.1绪论
3.2IC制造工艺
3.2.1IC制造工艺概述
3.2.2IC光刻工艺
3.2.3晶体管的制造
3.2.4制造连线
3.2.5连线电容和电阻
3.3版图基础
3.4电路模拟中MOS晶体管的模型构造
3.4.1SPICE中的MOS模型
3.4.2MOS晶体管的具体说明
3.5SPICEMOSLEVEL1器件模型
3.5.1MOSLEVEL1参数的提取
*3.6BSM3模型
3.6.1BSIM3中的加载过程
3.6.2短沟道阈值电压
3.6.3迁移率模型
3.6.4线性区和饱和区
3.6.5亚阈值电流
3.6.6电容模型
3.6.7源/漏电阻
*3.7MOS晶体管中的附加效应
3.7.1产品中的参数变化
3.7.2温度效应
3.7.3电源变化
3.7.4电压极限
3.7.5CMOS闩锁
*3.8绝缘体上的硅工艺
*3.9SPICE模型小结
3.10参考文献
3.11习题
第4章MOS反相器电路
4.1绪论
4.2电压传输特性
4.3噪声容限的定义
第5章静态MOS门电路
第6章高速CMOS逻辑设计
第7章传输门和动态逻辑设计
第8章半导体存储器的设计
导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。
第9章存储器设计中的其他课题
第10章连线设计
第11章电源网格和时钟设计
附录ASPICE的简要介绍
【数字集成电路分析与设计的书目录】
附录B双极型晶体管和电路