IN4937是什么二极管 _光电倍增管和硅光二极管两种，这二者有什么优缺点

IN4937是什么二极管IN4937是快恢复二极管。
主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同。
属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
扩展资料【IN4937是什么二极管】注意事项
1、有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2、若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3、测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V) 。
参考资料来源：百度百科-快恢复二极管
光电倍增管和硅光二极管两种，这二者有什么优缺点光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。
NIST自行研制的的参考级（基准）分光光度计，分别在紫外区用PMT，可见区用Si，近红外区用InGaAs这三种检测器，以实现对透射比（吸光度）计量性能的终极追求，当然Si的缺点导致不可检测低于0.1%的透射比，这也限制了美国光谱透射比基准的参数范围：0.1%~100%
问:同样都是硅二极管,硅光电二极管和硅整流二极管有何不同,原因是什么?答关键就是结构不相同，作为普通二极管，其pn结是全部覆盖起来的，加上反向电压时漏电电流是“暗电流”，而当pn结暴露于光照条件下，其反向电流增加，成为对光照产生相应反应的“光敏元件”，也就是说光敏二极管相当于一个暴露pn结，使能接收到环境光强弱变化的二极管，当然，为了得到更高的灵敏度，pn结的面积也需要更大，而其散热要求会大大低于需要通过大电流的整流二极管。
早期生产的半导体器件有用玻璃封装，外涂黑漆保护，所以可以有将玻壳外黑漆刮掉，利用光线可以直接照射内部pn结来替代光敏器件作实验的情况。
请教硅光二极管的问题这是一组1×4 LED发光二极管同时发光的线路图，1.5K下偏电阻和150K上偏电阻组成一个限流限压作用，给LED二极管两端一个标准电压、电流的供电，同时下偏电阻的阳值远小于上偏电阻，作用是起到给LED发光二极管的保护和保险，又起到限流作用；不难看出，上偏电阻，主要是起到限压作用，由于它的阻值大，所以它的两端电压位差也相当大，于是起到了降低电压的作用，它的值的大小，直接影响到LED发光二极管所得到的电压的大小，但是，它的功耗应该=1×4LED 。至于楼主讲的方向有关，是的，二极管的性能也就是单向导电，以上的电路，如果是负载电路的话，那它的电位应该是上+下-；如若是整流供电电路的话，应该是上-下+ 。
硅光电池是什么?他和硅光电二极管有什么区别？硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。
区别：
硅光电二极管是反向加恒定电压工作的，检测到的信号是它的反向被动的“漏电流”大小。
硅光电池是主动输出电流的，检测到的信号是它输出电流大小。