【电力|电力电子技术－IGBT】8、效应）：I ICMCM,du,duCECE/dt/dt限制限制第二节第二节 功率晶体管功率晶体管4. IGBT的擎住效应和安全工作区的擎住效应和安全工作区11 正偏安全工作区正偏安全工作区（FBSOAFBSOA）最大集电极电流、最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定最大集射极间电压和最大集电极功耗确定 第二节第二节 功率晶体管功率晶体管4. IGBT的擎住效应和安全工作区的擎住效应和安全工作区反偏安全工作区反偏安全工作区（RBSOA）-最大电压上升率最大电压上升率duCE/dt的限制的限制12作业作业n1. 请从器件结构、等效电路、伏安特性、工作特点等方面比较MOSFET和IGBT器件的相似和不同之处 。
第二节第二节 功率晶体管功率晶体管13 本章本章要求：要求：1 了解功率二极管种类、各自特点、静态特性、开关了解功率二极管种类、各自特点、静态特性、开关特性（尤其是：反向恢复特性）、主要性能参数特性（尤其是：反向恢复特性）、主要性能参数2 三种功率晶体管工作原理、特点、静态特性、开关三种功率晶体管工作原理、特点、静态特性、开关特性、主要参数、安全工作区特性、主要参数、安全工作区 第八章第八章 功率二极管和晶体管功率二极管和晶体管 。

稿源：(未知)

【傻大方】网址：/a/2021/0926/0024178639.html

标题：电力|电力电子技术－IGBT( 二 )