彭博社：追赶台积电三星拟斥资100亿美元在美建设高端芯片制造厂：彭博社：追赶台积电三星拟

原标题：彭博社：追赶台积电三星拟斥资100亿美元在美建设高端芯片制造厂

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集微网消息，据彭博社消息，三星电子正在考虑投资超过100亿美元在美国建设其最先进的逻辑芯片制造厂。三星电子寄希望于通过这项重大投资以赢得更多美国客户，并赶上行业领先者台积电。
知情人士说，三星正在商讨在德克萨斯州奥斯汀建立一家工厂，该工厂将来可以制造先进的3纳米芯片。他们说，计划刚开始，可能会有所变化，但目前的目标是今年开始建设，从2022年开始安装主要设备，然后最早在2023年开始运营。一位知情人士说，尽管投资额可能会波动，但三星的计划将意味着为该项目提供超过100亿美元的资金。
【彭博社：追赶台积电三星拟斥资100亿美元在美建设高端芯片制造厂】知情人士说，这个设想中的工厂将是三星首座采用极紫外光（EUV）微影制程的晶圆厂。当被问及在美国建立工厂的计划时，三星在一封电子邮件中表示尚未做出任何决定。
HMCSecurities高级副总裁GregRoh表示：“如果三星真的想实现到2030年成为顶级芯片制造商的目标，它需要在美国进行大量投资以赶上台积电。台积电可能会在其亚利桑那州的工厂中将工艺节点的工艺进度不断提高到3nm ，三星也可能会这样做。 ”

彭博社：追赶台积电 三星拟斥资100亿美元在美建设高端芯片制造厂

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