与非网：战略升级，第三代半导体最新进展，耐威科技改名耐威科技披露年报

耐威科技披露年报，为配合业务结构的调整，公司名称准备变更为“赛微电子” 。同时，业务分类也做了进一步调整， MEMS业务收入比重连续几年上升，目前已经占据总营收的74.54% 。在第三代半导体GaN领域，公司GaN外延片实现销售收入的零突破，已经开发数款GaN功率器件产品并进入小批量试产。耐威科技已经正式升级为集MEMS、第三代半导体为一体的半导体公司。
刚刚，耐威科技（300456）发布2019年年度报告。
报告显示， 2019年实现营业收入7.18亿元，同比增长0.77%；净利润1.21亿元，同比增长27.62%；扣非后净利润6,692.61万元，较上年下降18.60% 。（非经常损益主要来源于出售股子公司重庆航天新世纪公司40.12%股权。）

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同时，耐威科技也公布了年度分配预案，每10股派发0.3元现金红利。
坚持年年分红的高科技企业，在A股不常见，科技发展与股东利益，两手都要抓，两手都要硬。
——业务调整，战略升级——
除此之外，耐威科技也公布，为配合公司业务结构的调整，更加贴合公司经营实际，公司拟对公司名称、证券简称及经营范围进行变更，证券简称由“耐威科技”变更为“赛微电子” 。
相应的，在今年的年度报告中，因不同的业务收入及利润贡献结构发生了较大变化，耐威科技也对公司行业分类做了重新划分和调整。
由原来的MEMS行业、导航行业、航空电子行业、无人系统行业、智能制造行业、第三代半导体行业调整划分为半导体行业（MEMS、GaN）、特种电子行业（导航、航空电子）。
公司名称改变、业务分类调整，意味着耐威科技公司发展战略的重大调整。
自2016年收购瑞典Siles(赛莱克斯），正式大规模切入MEMS领域，此次耐威改名为“赛微电子” ，估计跟赛莱克斯的“赛”也有很大关系。
——MEMS已经上升为核心业务——
耐威科技的MEMS业务包括工艺开发和晶圆制造两大类。今年耐威科技的业绩表明， MEMS业务营收5.35亿元，已经占据总营收的74.54% ，其中MEMS晶圆制造占比42.77%、MEMS工艺开发占比31.77% 。
MEMS业务经营采用“工艺开发+代工生产”的模式。 “工艺开发（NRE）”即根据客户提供的芯片设计方案，利用工艺技术储备及项目开发经验，进行产品制造工艺流程的开发，为客户提供定制的产品制造流程；“代工生产（Production）”模式则是MEMS代工厂商在完成MEMS产品的工艺开发，实现产品设计固化、生产流程固化后，为客户提供批量代工生产服务。

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其中控股子公司Silex已经成为全球第五大MEMS代工企业，纯MEMS代工业务占全球第二位。
除了瑞典MEMS代工工厂，耐威科技在北京的8英寸MEMS晶圆厂建设也紧锣密鼓进行中，目前厂房建设接近尾声，主厂房及支持层区已接近完工，厂务系统已开始运转调试并开始进行生产设备的搬入及安装调试。 8英寸MEMS产线的一期规划1万片/月产能，预计将在2020年第三季度建成并投入使用。
耐威科技已经成功转型为半导体集成电路MEMS龙头企业。

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——第三代半导体（GaN）蓄势待发——
耐威科技在MEMS领域的实力已经证实。我们再来看一下耐威科技在第三代半导体领域的进展情况：
根据年报披露，公司第三代半导体主要针对氮化镓（GaN）材料，涵盖GaN外延片和GaN器件设计（功率及微波器件）两大领域。
GaN外延片方面，以6-8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）两种为主，主要由控股子公司聚能晶源负责，发布了8英寸硅基GaN外延晶圆与6英寸碳化硅基GaN外延晶圆，同时创造性地将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域，开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HRSi外延晶圆。
关于GaN外延片，不同的异质外延介绍，请参见“科创之道”之前的文章，《第三代半导体投资分析》。
GaN器件方面，由控股子公司聚能创芯负责，向通讯设备、数据中心、新型电源、智能家电等领域，已经陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案，并同时推动微波器件产品的研发。
当然，目前GaN业务还处于早期阶段，并没有给2019年业绩带来实质性贡献。
但根据年报披露， GaN外延材料已经实现销售的零突破。
已建成第三代半导体外延材料制造项目（一期），掌握了业界领先的8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基GaN外延生长技术，积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、器件设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证。销售了60余片，销售金额为45.06万元。分页标题
在GaN器件方面，公司已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案，已推出数款GaN功率器件产品并进入小批量试产，与知名电源、家电及通讯企业展开合作，进行器件系统级验证和测试，同时持续推动微波器件产品的研发。
【与非网：战略升级，第三代半导体最新进展，耐威科技改名】注：GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV) ，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。