DARPA资助研发可将联想学习能力提升40%的非侵入式脑外装置在国防高级研究计划局“重建主动记忆”

在国防高级研究计划局“重建主动记忆”项目（RAM）的资助下，HRL实验室与来自加拿大麦吉尔大学和来自纽约Soterix医疗的研究人员已研究确认，可以通过“非侵入性经颅直流电刺激”（TDCS）提高人类联想性学习的表现。TDCS装置通过将2mA电流施加到大脑的前额叶皮质，在不增强神经元放电的情况下，改善了大脑不同区域之间的连接，提高了实验用恒河猴的学习能力。

实验中，头上佩带了tDCS装置的恒河猴，能用更少的尝试次数学会完成同样的任务，效率增加约40%。首席研究员表示，前额叶皮质控制着许多管理功能的大脑区域，包括决策、认知控制和情境记忆检索。它与大脑几乎所有其他皮层区连接，刺激它能起到广泛作用。

研究人员表示，正寻求美国FDA核准设备应用，该设备将在未来5-10得到广泛应用。（中国船舶工业综合技术经济研究院程之年）

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