高、中、低到底有多大差距？6款NVMe M.2 SSD对比评测( 三 ) "

▲NVMe主控大幅降低了延迟，提升了并行读写性能。

同时NVMe主控大幅加强了并行读写性能，允许存储系统一次最多可执行64K(64000个)队列，并且允许每个队列拥有64K的命令。而之前固态硬盘使用的AHCI标准仅支持存储系统一次最多执行1个队列，每个队列32条指令。

此外NVMe标准对多核心处理器进行了更好的优化，新加入的中断模式可以让多个处理器核心同时向NVMe控制器发出命令。同时比起AHCI技术标准，NVMe可以降低控制器和软件接口部分的延迟，NVMe精简了调用方式，执行命令时不需要读取寄存器，而AHCI每条命令则需要读取4次寄存器，一共会消耗8000次CPU循环，从而造成2.5微秒的延迟。

闪存方面，与传统SSD类似，大部分M.2 SSD也从早期使用MLC、SLC颗粒转换到现在全面使用TLC颗粒，而在2018年更加流行的则是3D NAND TLC颗粒。对厂商来说，采用3D NAND TLC颗粒最主要的好处就是降低成本，如西数与东芝联合开发的BiCS 3D闪存现在最高已实现了64层堆叠，其单颗核心容量达到64GB，而之前闪存颗粒的核心容量只有16～32GB，这意味着闪存颗粒单位面积下的容量翻倍。