GlobalFoudaries中国布局生变量，成都厂寻求新投资者加入，新CEO GlobalFoudaries成都厂去年底才封顶

正当国内不断加码资金、寻找人才、突破技术/IP藩篱，加大力度投资在集成电路产业的同时，一座位于四川、中美战略合资的12寸晶圆厂投资项目却悄悄起了变化，GlobalFoudaries 前两年精心打造的中国首座12寸厂落户于成都，今年下半将移入机台设备，但

日前却传出该厂欲找买主接手，或是引进合作伙伴投资，甚至不排斥让“敌人”进驻，

这当中是发生了什么事？

外企在国内集成电路产业具举足轻重之位，前五大拿三席

GlobalFoudaries 前两年看好国内芯片市场商机，欲吸引本土芯片客户下单的机会，积极打造中国第一座12寸晶圆厂，成为GlobalFoudaries除了美国纽约、德国德累斯顿、新加坡三地以外的第四个生产基地。

根据调查，2017年国内前五大集成电路制造公司中，除了中芯国际和华虹半导体之外，其他三名全是外商，位居龙头的是韩国三星西安厂，第三名是SK海力士无锡厂，第四名是英特尔大连厂，可见外企在国内发展集成电路产业的道路上，有着举足轻重的地位。

一般来说，外企来国内设立晶圆厂，除了看中政府优渥的补助资金条件外，外企更是希望能借助在国内设厂，吸引众多芯片公司过来投单，更趁势掌握新创芯片公司的崛起趋势。

GlobalFoudaries砸百亿美元设立中国首座12寸厂引进FD-SOI技术

GlobalFoudaries在与成都市合作兴建12寸厂之前，原本是打算进军重庆，但后来投资重庆的计划告吹，GlobalFoudaries转战成都，与市政府合资成立在国内的首座12寸厂“Fab11”。

根据GlobalFoudaries规划，该项总投资金额高达100 亿美元，预计分为两期进行

，第一期是导入主流的CMOS 制程，预计 2018 年底投产，而第二期是规划采用GlobalFoudaries的22纳米FD-SOI技术（称为22FDX）生产，预计 2019 年第四季度投产。

不过，近期的GlobalFoudaries充斥着新人事、新气象，出身IBM体系的新上任CEO Tom Caulfield显然对于高端FinFET技术充满浓厚兴趣，有意挑过5纳米技术节点，直接挑战3纳米技术，传出对于成都规划的FD-SOI技术较没兴趣。

图 | GlobalFoudaries CEO Tom Caulfield

更值得玩味的是，GlobalFoudaries成都厂去年底才完成封顶，然近期传出计划有变，

正在积极寻找策略合作伙伴入股成都厂，或接手该座晶圆厂，行业内甚至传出紫光集团旗下的长江存储，以及韩国半导体大厂三星，都是GlobalFoudaries接洽的对象。

成都厂被视为是GlobalFoudaries深耕国内半导体产业的重要基地，也是GlobalFoudaries在国内的首座晶圆厂，提出FD-SOI技术，是有别于摩尔定律的主流FinFET技术派别，且FD-SOI适合超低功耗、对于成本敏感的应用领域，特别锁定国内的物联网、车用电子、5G等市场。

跟随GlobalFoudaries成都厂和FD-SOI技术布局，GlobalFoudaries也投资一亿美元在成都打造世界级的FD-SOI系统生态圈，集合知识产权开发、集成电路设计中心，孵化成都本地的无晶圆企业，成为全球FD-SOI技术的代言人。

该厂是在去年二月动工，十月完成封顶，预计今年下半将搬入机台设备，不过，近期GlobalFoudaries内部对于成都厂的计划有不同想法。

近期行业内人士透露，GlobalFoudaries接触不少半导体同行，传出长江存储、三星、联电等都有被接洽，寻求接手或投资其成都厂，让不少人感到意外，是否GlobalFoudaries借助成都厂深耕国内市场的计划有变？

GlobalFoudaries新CEO表示欢迎客户、对手入股成都厂

该传言出现不久后，GlobalFoudaries 新 CEO Tom Caulfield在接受外电专访时透露，成都厂的角色目标，是要 “

make it China’s factory, not just ours”

，并

表示欢迎客户来入股投资，甚至也欢迎竞争对手来投资，打造多方合作的商业模式

，而不是由GlobalFoudaries自己找产品把该厂填满。

他的的一番谈话应验了 GlobalFoudaries 成都厂传言多时的寻求策略合作伙伴入股计划。

同时，Caulfield在接受外电专访时，也表示非常认同当初GlobalFoudaries和三星合作14纳米的商业模式，由三星提供14纳米的技术授权给GlobalFoudaries，两者形成策略联盟关系，提供给客户除了台积电以外的晶圆代工厂做更多选择。

行业内人士分析，会传出GlobalFoudaries成都厂接触三星，是因为三星对FD-SOI技术也感兴趣，已经推出28纳米的FD-SOI技术，并将推出18纳米，或许是因为有相同的技术，因此招手三星来入股是合理的解决方案。

目前GlobalFoudaries提出的22纳米FD-SOI技术已经在德国德累斯顿12寸厂量产，根据GlobalFoudaries对于成都厂的规划，第一阶段会先导入0.13微米和0.18微米节点，第二阶段再导入FD-SOI技术，因此，对成都厂有兴趣的策略投资人，可能必须绑定FD-SOI技术，之后再支付给德国厂技术授权金。

GlobalFoudaries过去几年花很多心力宣传FD-SOI技术和成都新厂，如今却决定引进合作伙伴，而非自己经营该厂，究竟是什么原因？业界认为，财务问题是其中之一。

另一方面，新人事、新气象，新上任的CEO是传统IBM体系出身，更是主流FinFET技术的拥护者，对于旁支的FD-SOI技术并不打算投入太多

，因此，在新CEO上任后，GlobalFoudaries是否继续支持FD-SOI技术，一直是行业内人士的疑问。

除了中国的投资策略转变，Caulfield显然对于高端技术有着浓厚兴趣。

GlobalFoudaries想建全新3纳米晶圆厂寻求美国联邦基金援助

他日前指出，希望寻求财务支持来进入下一个技术节点，应该是3纳米技术，并且要盖新的晶圆厂，希望这个新的3纳米技术晶圆厂，能和正要进入量产的7纳米技术的纽约Malta Fab 8晶圆厂搭配，但这需要美国联邦基金的财务支持，而GlobalFoudaries的3纳米技术留在美国，对于国家安全和创造就业机会都会很有利。

他这一番谈话，也代表GlobalFoudaries将再度以技术跳级的方式往前推进，过去GlobalFoudaries也曾跳过10纳米节点，直接从14纳米挑到7纳米节点，这次他将再领导GlobalFoudaries的技术蓝图跳过5纳米，直接从7纳米转进3纳米技术。

他表示，

不认为5纳米技术节点具备吸引力

，并不足以吸引够多的芯片公司来投资，

这些芯片公司需要的是像3纳米这样的技术，才能完整的展现性能。

Caulfield日前也和母公司阿布达比的穆巴达拉投资公司，到美国华盛顿去游说，希望能获得美国联邦基金的全力支持，争取GlobalFoudaries兴建3纳米晶圆厂的机会和充足资金。

这等于宣示GlobalFoudaries在3纳米节点上不会缺席，会和英特尔、台积电、三星共同进入3纳米的战局，这时间点会在2020年之后。

全球5纳米、3纳米战争 2020年之后开战

台积电的5纳米晶圆十八厂已经正式动土，计划5纳米将全面导入极紫外光EUV技术，预计2019年上半年进行风险性试产，2020年正式量产，计划2020年之后再进3纳米节点的投资，单单是3纳米技术，预计投资金额就高达260亿美元。

根据台积电规划，今年进入量产的7纳米节点，最具承先启后的划时代意义，因为台积电计划在第一代的7纳米节点，以及第二代的7纳米plus节点上分别采用浸润式微影和EUV技术，将EUV技术的良率极佳化后，再于5纳米上全面将导入EUV技术，让5纳米展现最佳工艺表现。

GlobalFoudaries在新的CEO上台后，在高端技术上展现十足野心，要争取一张进入3纳米竞赛的门票，

能否获得美国政府的资金挹注，是最大关键！

然GlobalFoudaries整个策略蓝图的转变，也意外牵动在国内成都厂的布局规划。

这几年我们看到国内集成电路产业投入巨资，每个城市包含上海、合肥、南京、武汉都积极想要打造成为“芯片之城“，成都也有属于自己的”芯梦想“，未来与GlobalFoudaries之间的合作将怎么变化，大家都很好奇。

观察最早有SK海力士进驻无锡，在当地生产DRAM芯片，之后英特尔进驻大连，原本是生产处理器，前几年也转换成生产3DNAND芯片，而三星更是大规模在西安打造“芯城”，生产最先进的3D NAND技术，不可否认地，国内发展集成电路产业的路上，需与这些外企大厂互补式的前进，外企也确实占有举足轻重的地位，未来等待国内半导体厂的羽翼渐丰，才能拉近彼此竞争距离。

-End-