中芯国际|美国阴谋终于破产：中国8纳米芯片宣布量产，4年内超越台积电 |台积电|硅基

近日，中芯国际发布第三季财报，在此后的电话会议上，中芯国际联合CEO梁孟松表示，新的N+1芯片已经进入小量试产阶段， N+1芯片的生产工艺与7nm芯片类似。根据业内人士分析， "新的N+1芯片的性能匹敌台积电8nm芯片，而N+2芯片的性能则匹敌台积电7nm芯片。 "

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N+1芯片是中芯国际的第二代生产工艺的代称，与目前量产的14nm芯片相比，运行性能会提高五分之一、功耗减少到原先的一半以上、整体体积也会进一步缩小。 N+1芯片预计将会在2021年正式投入量产，精度将达到台积电2018年量产水平，可以说中国目前的芯片，已经追赶上了世界顶尖行列。
梁孟松2017年加入中芯国际担任首席执行官，他的加入使中国半导体行业的发展进入"快车道" 。在他加入中芯国际的三年中，中芯国际的先进制程水平突飞猛进， 2017年中芯国际还在攻克台积电六到七年前实现的28nm芯片，如今已经实现了量产芯片从28nm到14nm的跨越。 N+1芯片的量产意味着中国芯片与世界顶尖行列的差距只有三年了，或许三到四年后，中芯国际将会取代台积电，成为世界第一硅基芯片制造商。

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除了按部就班的发展硅基芯片外，中国也准备在新型碳基芯片的研发上实现"弯道超车" ，今年北大的实验团队已经在实验室条件下，小规模的量产了8英寸的石墨烯晶圆，这是材料学上的又一突破。众所周知，硅基芯片的发展是遵循摩尔定律的，在硅基材质没有突破的前提下，硅基芯片想要进一步发展可谓是难上加难。

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相比硅基芯片，碳基芯片的材料极限还远远未到，碳基芯片上应用的石墨烯材料，单层厚度仅为0.27纳米；石墨烯材料内，电子运行速度比硅基材料快百倍不止；用石墨烯材料生产出的处理器频率也只会比现有的处理器更快。
如果说中芯国际的N+1芯片让我国芯片发展速度像坐上"快车" ，那么碳基芯片的成功研发可能使我国芯片发展坐上"高铁" ，新型芯片的顺利研发，证明美国对中国芯片领域的技术封锁最终破产。
在近日举行的第三届中国国际进口博览会上，荷兰阿斯麦公司中国区总裁沈波现场表示， "阿斯麦愿意向中国出口最先进的光刻机" 。荷兰阿斯麦公司，作为全球最大的半导体设备制造商之一，如果与中国芯片制造业实现合作，将会进一步填补中国高精尖芯片的空白。
不论是中国自主研发的N+1芯片，还是已经初具苗头的石墨烯碳基芯片，都彰显了我国突破技术封锁的决心，下一代中国"芯"将会彻底解决我国"缺芯"的不利局面，为我国芯片产业大发展注入巨大活力。
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