纳米|3纳米!中国“芯”又突破一技术难关,光刻机同时取得新进展


纳米|3纳米!中国“芯”又突破一技术难关,光刻机同时取得新进展
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纳米|3纳米!中国“芯”又突破一技术难关,光刻机同时取得新进展

芯片半导体是最近以来国人比较关心的领域 , 毕竟华为的例子就摆放在前 , 也给所有曾经不注重自主技术研发的厂商敲响了警钟 , 告诉了我们 , 我们在半导体领域仍然道阻且长 , 就算如此 , 这也是一条必须淌过的河 , 不越过去 , 国产的高科技电子产品生产线就永远没办法实现自主 。
可这并不容易 , 国产半导体行业目前存在起步晚、核心技术少、高级人才缺失的问题 , 好不容易招来了梁孟松 , 却因为一些人情世故的“场外因素”又让他离开了中芯国际 , 直至梁孟松离职 , 目前我国离台积电的技术还差一代以上 , 怎么追 , 如何追 , 艰难的现状难免让人有些沮丧 。
3纳米!中国“芯”又突破一技术难关 , 光刻机同时取得新进展 。 近日 , 复旦大学的周鹏教授为我们带来了好消息 , 目前 , 他们已经验证3到5纳米领域的重要技术——GAA晶体管技术 , 中国芯片迈出了一大步 , 让人们从迷雾中看到了希望的光 。
当前世界上运用最多的两种两种晶体管技术为传统的FinFET晶体管技术和GAA晶体管技术 , 前者被广泛应用于20纳米到7纳米的芯片制造 , 而后者则突破是3纳米到5纳米芯片的重要门槛 , 在效率和稳定性上较传统的FinFET晶体管都有提高 。
【纳米|3纳米!中国“芯”又突破一技术难关,光刻机同时取得新进展】世界上最顶尖的两家芯片代工制造厂——三星和台积电 , 目前三星已经计划将GAA晶体管技术应用在3纳米级芯片的量产上 , 而台积电稍微保守 , 目前使用的多为FinFET晶体管 , 但其同样对外宣布 , 下一代的2纳米将全面使用GAA晶体管技术 , 可见 , 在未来 , GAA晶体管技术是高端芯片制造不可或缺的一环 。
而据中芯国际对外发出的消息称 , 他们请来的蒋尚义老先生正在主持中芯国际与荷兰ASML公司进行谈判 , 谈判内容正是此前中芯国际向ASML订购的光刻机 , 如有最新进展 , 一定第一时间通知大家 。 中国芯片的新气象正在到来 , 如果光刻机能在此时到达中国 , 那中国芯片一定能实现从未有过的飞越 。 各位对此有什么看法 , 欢迎在评论区发表您的留言 。