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摩尔定律真的失效了吗？世界顶尖的晶圆制造商会说，没有。
【三星|摩尔定律失效了？三星、台积电会说，它还?好得?很， 1nm已经看见希望】圈个有用，摩尔定律本身并不是一个定律，而是一个概念，它指的是，集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。这是行业内人士的经验之谈，并非像牛顿一样坚不可破的定律。
目前，基于5nm/4nm工艺的芯片已经进入大批量的实际使用阶段，我们用的iPhone 13、最新安卓旗舰手机以及华为P50手机，搭载的SoC代表了人类最高水平的大规模集成电路制造工艺。
台积电宣布3nm制程工艺将在2022年年底量产，三星宣布将在3nm节点启用全新的GAAFET 。
等等，什么是GAAFET？
所谓GAAFET ，被称作环绕式栅极晶体管，这就是GAAFET的结构。
看不懂？好，我们借着韩国三星半导体的视频从头开始。

这一个再普通不过的晶体管，世界上绝大部分芯片的晶体管都长这样，电流从前方的源极流向后方的漏极，而上方紫色的部分就是栅极，也就门Gate ，这就是我们今天要重点研究的对象。
栅极就是一个闸门，我们通过在栅极上施加电压来控制晶体管的电流状态。
施加电压，开，不施加电压，关闭，这种原理叫做场效应。

在上个世纪，人类制造的所有芯片的晶体管都采用了这种结构，栅极的厚度也就是芯片的制程工艺。
但是，即将迈入21世纪之时，人们发现这种晶体管不管用了，只要栅极的厚度低于28nm之后，控制电流的能力急剧下降，无论有没有电压施加在栅极上，电流都可以大摇大摆地通过。
其实在这之前，人类就已经经历过了各种各样的困难了，不过之前从来没想到从结构下手，通过改良工艺和材料解决了，不过到了28nm ，不得不对结构下手了。
随后，美国加州大学华人教授胡正明发现，只要改变源极和漏极的形状，增加这两个极和栅极的接触面积，栅极的电流控制能力就会变强。
于是， FinFET诞生了。

FinFET被视为人类挑战尖端芯片制造的重大胜利，是延续“摩尔定律”的关键里程碑。
英特尔一骑绝尘， 2012年率先在22nm节点导入FinFET相关技术，打造了英特尔4代酷睿，如今的第12代酷睿，依然使用的也是FinFET 。
目前，英特尔还没有摸到FinFET结构的天花板， 13代酷睿乃至14代酷睿依旧可以使用FinFET工艺。
但是，台积电和三星已经摸到了，这就是接下来要说的GAAFET 。
GAAFET进一步增加了源极、漏极与栅极的接触面积，增强了栅极的控制能力。
这玩意儿哪里都好，但唯一的缺点就是难造。
这是GAAFET和FinFET对应的显微镜下的照片，相信各位观众老爷们也能看得出来， GAAFET比FinFET要难造得多。

在未来3～5年内， GAAFET就是台积电和三星的关键争夺点，在3nm/2nm制程工艺节点上，谁能确保GAAFET的良率，谁就能拿下更多的市场份额。
一个看起来不是那么好的消息是，每一代新结构的使用时间越来越短， FinFET使用了将近10年之后，才出现GAAFET ，但是GAAFET还未实现量产的时候，半导体行业已经在开发下一代晶体管结构。
目前看来，如今的GAAFET只能支撑1nm制程工艺，那么1nm以后又该咋办呢？
不过就在12月11日， IBM和三星额公布了全新晶体管技术，垂直晶体管，把晶体管竖着造。

蓝色源极在下，红色的漏极在上，左右土黄色的是门，也就是栅极。
这种设计能增加晶体管数量堆叠密度，并且让运算速度提升两倍，同时通过让电流以垂直方式流通。
IBM和三星说，采用垂直晶体管造出来的芯片，可以支持手机一个星期只充一次电，或者支持某些能源密集型的任务，包括加密工作，嗯？4K 120帧跑《原神》？手机挖矿指日可待？
另外，台积电也宣布，通过铋金属特性突破 1nm 制程生产极限，让制程技术下探至 1nm 以下。