光刻机|国产芯片的崛起，中企迎来技术突破！绕开顶级光刻机，试产7nm 芯片|中芯国际|it芯片

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【光刻机|国产芯片的崛起，中企迎来技术突破！绕开顶级光刻机，试产7nm】

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近年来，美国一直在利用各种方法打压中国半导体产业， 2020年更是直接切断了华为的芯片供应链。

面对芯片领域处处受制的局面，我国开始加大自主芯片的研发力度，中科院更是宣布集结全院之力攻克光刻机等技术难题，帮助中国企业摆脱“卡脖子”的命运。
在全国上下为同一个目标奋斗的情况下，国产芯片终将崛起。
令人欣慰的是，近日中国芯片企业传来技术突破的好消息。 12月4日，中芯国际在互动平台上回答了投资者提出的问题，根据中芯国际的回复内容可知，该公司第一代FinFET 14nm已经于2019年第四季度进入量产；第二代FinFET已经进入小量试产阶段。
14nm进入量产一事业内众所周知，华为还曾在美国下达第二层禁令后，将部分14nm订单交付给中芯国际。至于第二代FinFET ，是中芯国际的最新成果，该工艺在性能上相当于7nm芯片。
值得注意的是，第二代FinFET是在中芯国际绕开顶级EUV光刻机的情况下研发出的芯片制造工艺。
资料显示，对于7nm及以下高精度工艺的研发而言， EUV光刻机相当重要，早在2018年中芯国际便曾斥巨资向ASML下单了一台EUV光刻机。
不过，受美国政府的影响，荷兰政府限制垄断全球的光刻机巨头ASML向中国市场出口EUV光刻机。所以时至今日，这台光刻机仍未到货。
如今美方禁令更加严格，中芯国际短时间内更不可能获得EUV光刻机。但这家大陆第一芯片代工厂并没有因此止步不前，而是在半导体领域大佬梁孟松的指导下，顺利绕过EUV光刻机，实现了类7nm工艺的量产。
此外， 10月份全球首个基于中芯国际第二代FinFET N+1工艺的芯片在芯动科技的助力下完成流片和测试，所有IP均为自主国产，功能更是一次性测试通过。
绕开EUV光刻机的操作的确值得借鉴，但接下来更高精度工艺的研发过程中，没有高端光刻机可能会寸步难行，这是中芯国际面临的严峻挑战之一。
此外，虽然N+1工艺绕开了EUV光刻机，但在性能方面的提升依旧略有不足，所以目前N+1工艺只能面向低功耗应用领域。
由此可见，国产芯片崛起路上有着无数艰难险阻，谁也不知道下一个难题会在哪个阶段出现。但可以肯定的是，在历史经验丰富的中国人民面前，没有完不成的任务。
文/谛林审核/子扬校正/知秋